公开(公告)号：US07323421B2

公开(公告)日：2008-01-29

申请号：US11152362

申请日：2005-06-14

申请人： Mark G. Stinson ,  Henry F. Erk ,  Guoqiang (David) Zhang ,  Mick Bjelopavlic ,  Alexis Grabbe ,  Jozef G. Vermeire ,  Judith A. Schmidt ,  Thomas E. Doane ,  James R. Capstick

发明人： Mark G. Stinson ,  Henry F. Erk ,  Guoqiang (David) Zhang ,  Mick Bjelopavlic ,  Alexis Grabbe ,  Jozef G. Vermeire ,  Judith A. Schmidt ,  Thomas E. Doane ,  James R. Capstick

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： H01L21/30608 ,  C09K13/02 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3245 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02019

摘要： A process for etching silicon wafers using a caustic etchant in the form of an aqueous solution comprising water, a hydroxide ion source, and a chelating agent. The process produces silicon wafers substantially free from diffused metal ions.

摘要翻译： 使用包含水，氢氧根离子源和螯合剂的水溶液形式的苛性蚀刻剂来蚀刻硅晶片的方法。 该方法产生基本上不含扩散金属离子的硅晶片。