公开(公告)号：US07862748B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US12243379

申请日：2008-10-01

申请人： Bon Kyung Koo ,  Han Ho Yoon ,  Ju Ok Park ,  Hyung Ryul Park ,  Hyun Su Kim ,  Sung Ryong Choi ,  Joong Ryeol Choi ,  Pung Keun Song ,  Joon-Hong Park

发明人： Bon Kyung Koo ,  Han Ho Yoon ,  Ju Ok Park ,  Hyung Ryul Park ,  Hyun Su Kim ,  Sung Ryong Choi ,  Joong Ryeol Choi ,  Pung Keun Song ,  Joon-Hong Park

IPC分类号： H01B1/08

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086

摘要： Disclosed are an indium Tin Oxide (ITO) target, a method for manufacturing the same, a transparent conductive film of ITO, and a method for manufacturing the transparent conductive film of ITO. The ITO target includes at least one oxide selected from the group consisting of Sm2O3 and Yb2O3, wherein an amount of the oxide is about 0.5 wt. % to about 10 wt. % based on the weight of the target.

摘要翻译： 公开了一种氧化铟锡（ITO）靶，其制造方法，ITO的透明导电膜以及ITO的透明导电膜的制造方法。 ITO靶包括选自Sm 2 O 3和Yb 2 O 3中的至少一种氧化物，其中氧化物的量为约0.5重量％。 ％至约10wt。 基于目标的重量％。

公开(公告)号：US20090152511A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12243379

申请日：2008-10-01

申请人： Bon Kyung KOO ,  Han Ho Yoon ,  Ju Ok Park ,  Hyung Ryul Park ,  Hyun Su Kim ,  Sung Ryong Choi ,  Joong Ryeol Choi ,  Pung Keun Song ,  Joon Hong Park

发明人： Bon Kyung KOO ,  Han Ho Yoon ,  Ju Ok Park ,  Hyung Ryul Park ,  Hyun Su Kim ,  Sung Ryong Choi ,  Joong Ryeol Choi ,  Pung Keun Song ,  Joon Hong Park

IPC分类号： H01B1/00 ,  C04B35/50 ,  C23C14/34 ,  C23F1/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086

摘要： Disclosed are an indium Tin Oxide (ITO) target, a method for manufacturing the same, a transparent conductive film of ITO, and a method for manufacturing the transparent conductive film of ITO. The ITO target includes at least one oxide selected from the group consisting of Sm2O3 and Yb2O3, wherein an amount of the oxide is about 0.5 wt. % to about 10 wt. % based on the weight of the target.

摘要翻译： 公开了一种氧化铟锡（ITO）靶，其制造方法，ITO的透明导电膜以及ITO的透明导电膜的制造方法。 ITO靶包括选自Sm 2 O 3和Yb 2 O 3中的至少一种氧化物，其中氧化物的量为约0.5重量％。 ％至约10wt。 基于目标的重量％。

公开(公告)号：US08372314B2

公开(公告)日：2013-02-12

申请号：US12953969

申请日：2010-11-24

申请人： Bon kyung Koo ,  Han Ho Yoon ,  Ju Ok Park ,  Hyung Ryul Park ,  Hyun Su Kim ,  Sung Ryong Choi ,  Joong Ryeol Choi ,  Pung Keun Song ,  Joon-Hong Park

发明人： Bon kyung Koo ,  Han Ho Yoon ,  Ju Ok Park ,  Hyung Ryul Park ,  Hyun Su Kim ,  Sung Ryong Choi ,  Joong Ryeol Choi ,  Pung Keun Song ,  Joon-Hong Park

IPC分类号： H01B1/08

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086

摘要： Disclosed are an indium Tin Oxide (ITO) target, a method for manufacturing the same, a transparent conductive film of ITO, and a method for manufacturing the transparent conductive film of ITO. The ITO target includes at least one oxide selected from the group consisting of Sm2O3 and Yb2O3, wherein an amount of the oxide is about 0.5 wt. % to about 10 wt. % based on the weight of the target.

摘要翻译： 公开了一种氧化铟锡（ITO）靶，其制造方法，ITO的透明导电膜以及ITO的透明导电膜的制造方法。 ITO靶包括选自Sm 2 O 3和Yb 2 O 3中的至少一种氧化物，其中氧化物的量为约0.5重量％。 ％至约10wt。 基于目标的重量％。

公开(公告)号：US20110068003A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：US12953969

申请日：2010-11-24

申请人： Bon Kyung KOO ,  Han Ho Yoon ,  Ju Ok Park ,  Hyung Ryul Park ,  Hyun Su Kim ,  Sung Ryong Choi ,  Joong Ryeol Choi ,  Pung Keun Song ,  Joon-Hong Park

发明人： Bon Kyung KOO ,  Han Ho Yoon ,  Ju Ok Park ,  Hyung Ryul Park ,  Hyun Su Kim ,  Sung Ryong Choi ,  Joong Ryeol Choi ,  Pung Keun Song ,  Joon-Hong Park

IPC分类号： C23C14/14 ,  C04B35/50

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086

摘要： Disclosed are an indium Tin Oxide (ITO) target, a method for manufacturing the same, a transparent conductive film of ITO, and a method for manufacturing the transparent conductive film of ITO. The ITO target includes at least one oxide selected from the group consisting of Sm2O3 and Yb2O3, wherein an amount of the oxide is about 0.5 wt. % to about 10 wt. % based on the weight of the target.

摘要翻译： 公开了一种氧化铟锡（ITO）靶，其制造方法，ITO的透明导电膜以及ITO的透明导电膜的制造方法。 ITO靶包括选自Sm 2 O 3和Yb 2 O 3中的至少一种氧化物，其中氧化物的量为约0.5重量％。 ％至约10wt。 基于目标的重量％。

公开(公告)号：US20090211904A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12393782

申请日：2009-02-26

申请人： Yoon-Gyu Lee ,  Jin-Ho Lee ,  Yil-Hwan You ,  Ju-Ok Park

发明人： Yoon-Gyu Lee ,  Jin-Ho Lee ,  Yil-Hwan You ,  Ju-Ok Park

IPC分类号： C23C14/34 ,  C04B35/64

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/50 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/63464 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C23C14/08

摘要： Disclosed are a zinc (Zn) oxide based sputtering target, a method of manufacturing the same, and a Zn oxide based thin film deposited using the Zn oxide based sputtering target. The Zn oxide based sputtering target has a composition of InxHoyO3(ZnO)T, in which x+y=2, x:y is about 1:0.001 to 1:1, and T is about 0.1 to 5.

摘要翻译： 公开了一种基于锌（Zn）氧化物的溅射靶，其制造方法以及使用该Zn氧化物基溅射靶沉积的Zn氧化物基薄膜。 基于Zn氧化物的溅射靶具有In x H y O 3（ZnO）T的组成，其中x + y = 2，x：y为约1：0.001至1：1，T为约0.1至5。

公开(公告)号：US20090211903A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12392457

申请日：2009-02-25

申请人： Yoon-Gyu LEE ,  Jin-Ho LEE ,  Yil-Hwan YOU ,  Ju-Ok PARK

发明人： Yoon-Gyu LEE ,  Jin-Ho LEE ,  Yil-Hwan YOU ,  Ju-Ok PARK

IPC分类号： C23C14/00 ,  B29C43/02

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C23C14/08

摘要： Disclosed are an indium (In) zinc (Zn) oxide based sputtering target, a method of manufacturing the same, and an In Zn oxide based thin film deposited using the In Zn oxide based sputtering target. The In Zn oxide based sputtering target has a composition of (MO2)x(In2O3)y(ZnO)z, in which x:y is about 1:0.01 to 1:1, y:z is about 1:0.1 to 1:10, and M is at least one metal selected from a group consisting of hafnium (Hf), zirconium (Zr), and titanium (Ti).

摘要翻译： 公开了一种铟（In）锌（Zn）氧化物基溅射靶，其制造方法和使用In Zn氧化物基溅射靶沉积的In-Zn氧化物基薄膜。 In Zn氧化物基溅射靶具有（MO 2）x（In 2 O 3）y（ZnO）z的组成，其中x：y为约1:0.01至1:1，y：z为约1:0.1至1:1。 10，M是选自铪（Hf），锆（Zr）和钛（Ti）中的至少一种金属。