公开(公告)号：US08445364B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US12156499

申请日：2008-06-02

申请人： Prantik Mazumder ,  Kamal Kishore Soni ,  Christopher Scott Thomas ,  Natesan Venkataraman ,  Glen Bennett Cook

发明人： Prantik Mazumder ,  Kamal Kishore Soni ,  Christopher Scott Thomas ,  Natesan Venkataraman ,  Glen Bennett Cook

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L33/00 ,  C23C16/54 ,  C30B15/14

CPC分类号： H01L21/02667 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546

摘要： A method for treating semiconducting materials includes providing a semiconducting material having a crystalline structure, pre-heating a portion of the semiconducting material to a temperature less than the melting temperature of the semiconducting material, and then cooling the semiconducting material prior to exposing at least the portion of the semiconducting material to a heat source to create a melt pool, and cooling the semiconducting material.

摘要翻译： 一种用于处理半导体材料的方法包括提供具有晶体结构的半导体材料，将半导体材料的一部分预加热到低于半导体材料的熔融温度的温度，然后在至少暴露出半导体材料之前冷却半导体材料 半导体材料的一部分到热源以产生熔池，并冷却半导体材料。

公开(公告)号：US20110033643A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12523274

申请日：2009-02-27

申请人： Glen Bennett Cook ,  Prantik Mazumder ,  Kamal Kishore Soni ,  Balram Suman ,  Christopher Scott Thomas ,  Natesan Venkataraman

发明人： Glen Bennett Cook ,  Prantik Mazumder ,  Kamal Kishore Soni ,  Balram Suman ,  Christopher Scott Thomas ,  Natesan Venkataraman

IPC分类号： B32B1/08 ,  B28B1/16 ,  B28B21/46

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/007 ,  C30B28/04

摘要： The invention relates to methods of making articles of semiconducting material and semiconducting material articles formed thereby, such as articles of semiconducting material that may be useful in making photovoltaic cells.

摘要翻译： 本发明涉及制造由此形成的半导体材料制品和半导体材料制品的方法，例如可用于制造光伏电池的半导体材料制品。

公开(公告)号：US20100316882A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12866832

申请日：2009-02-25

申请人： Andrey V. Filippov ,  Clinton Damon Osterhout ,  Martin Andrew Sala ,  Kamal Kishore Soni ,  Carlton Maurice Truesdale

发明人： Andrey V. Filippov ,  Clinton Damon Osterhout ,  Martin Andrew Sala ,  Kamal Kishore Soni ,  Carlton Maurice Truesdale

IPC分类号： B32B15/02 ,  B22F9/20 ,  B22F9/30 ,  B05D1/12 ,  B32B9/00 ,  B32B15/04 ,  B29B9/12

CPC分类号： C01B33/03 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/24 ,  Y10T428/12028 ,  Y10T428/31678

摘要： Nanomaterial and methods for generating nanomaterial are described wherein a reaction, for example, decomposition, for generating nanomaterial occurs utilizing a hot wall reactor.

摘要翻译： 描述了用于产生纳米材料的纳米材料和方法，其中利用热壁反应器发生用于产生纳米材料的反应，例如分解。

公开(公告)号：US20090297395A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12156499

申请日：2008-06-02

申请人： Prantik Mazumder ,  Kamal Kishore Soni ,  Christopher Scott Thomas ,  Natesan Venkataraman ,  Glen Bennett Cook

发明人： Prantik Mazumder ,  Kamal Kishore Soni ,  Christopher Scott Thomas ,  Natesan Venkataraman ,  Glen Bennett Cook

IPC分类号： C01B33/02 ,  C30B1/02 ,  C22C28/00

CPC分类号： H01L21/02667 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546

摘要： A method for treating semiconducting materials is disclosed. In the disclosed method, a semiconducting material having a crystalline structure is provided, at least a portion of the semiconducting material is exposed to a heat source to create a melt pool, and the semiconducting material is then cooled. Semiconducting materials treated by the method are also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种处理半导体材料的方法。 在所公开的方法中，提供具有晶体结构的半导体材料，至少部分半导体材料暴露于热源以产生熔池，然后将半导体材料冷却。 还公开了通过该方法处理的半导体材料。

公开(公告)号：US08617447B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US12523274

申请日：2009-02-27

申请人： Glen Bennett Cook ,  Prantik Mazumder ,  Kamal Kishore Soni ,  Balram Suman ,  Christopher Scott Thomas ,  Natesan Venkataraman

发明人： Glen Bennett Cook ,  Prantik Mazumder ,  Kamal Kishore Soni ,  Balram Suman ,  Christopher Scott Thomas ,  Natesan Venkataraman

IPC分类号： C30B28/04

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/007 ,  C30B28/04

摘要： The invention relates to methods of making articles of semiconducting material and semiconducting material articles formed thereby, such as articles of semiconducting material that may be useful in making photovoltaic cells.

摘要翻译： 本发明涉及制造由此形成的半导体材料制品和半导体材料制品的方法，例如可用于制造光伏电池的半导体材料制品。