公开(公告)号：US5862021A

公开(公告)日：1999-01-19

申请号：US874790

申请日：1997-06-13

申请人： Haruhiko Deguchi ,  Takaya Nakabayashi ,  Tomohisa Komoda ,  Tohru Kira ,  Noboru Fujita ,  Kazuhiro Uneyama

发明人： Haruhiko Deguchi ,  Takaya Nakabayashi ,  Tomohisa Komoda ,  Tohru Kira ,  Noboru Fujita ,  Kazuhiro Uneyama

IPC分类号： G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08

CPC分类号： B82Y25/00 ,  G11B5/3906 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/08

摘要： A magnetoresistive effect device is formed by layering a nonmagnetic Co oxide film, a pinned magnetization layer made of Co, a nonmagnetic layer made of Cu, a free magnetization layer made of NiFe in this order on a substrate made of glass or Si. By arranging the nonmagnetic Co oxide film in contact with the pinned magnetization layer, it is possible to produce a magnetoresistive effect device with a high saturation field and a high sensitivity.

摘要翻译： 通过在由玻璃或Si制成的衬底上依次层叠非磁性Co氧化膜，由Co制成的钉扎磁化层，由Cu制成的非磁性层，由NiFe制成的自由磁化层，形成磁阻效应器件。 通过使非磁性Co氧化膜与被钉扎的磁化层接触，可以制造出具有高饱和场和高灵敏度的磁阻效应器件。