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    GPS receiver capable of calculating accurate 2DRMS
    1.
    发明授权
    GPS receiver capable of calculating accurate 2DRMS 有权
    GPS接收机能够准确计算2DRMS

    公开(公告)号：US06407701B2

    公开(公告)日：2002-06-18

    申请号：US09816297

    申请日：2001-03-23

    申请人： Mutsumi Ito ,  Kenichi Shoji

    发明人： Mutsumi Ito ,  Kenichi Shoji

    IPC分类号： H04B7185

    CPC分类号： G01C21/26 ,  G01S19/49

    摘要： In the GPS receiver, GPS solutions are calculated by performing GPS measurement using a Kalman filter. The GPS receiver is provided with a computing system which calculates 2DRMS according to an equation: 2DRMS=2×{square root over ((&sgr;H—Kalman+L )2+L +(HDOP×&sgr;UERE+L )2+L )} wherein, &sgr;H_Kalman represents a horizontal component of an estimate error obtained from a diagonal in an error covariance matrix calculated in a mathematical process of the Kalman filter, HDOP represents a horizontal dilution of precision, and &sgr;UERE is a user equivalent range error.

    摘要翻译： 在GPS接收机中，通过使用卡尔曼滤波器执行GPS测量来计算GPS解决方案。 GPS接收机具有根据以下等式计算2DRMS的计算系统：其中，sigmaH_Kalman表示在卡尔曼滤波器的数学过程中计算的误差协方差矩阵中的对角线获得的估计误差的水平分量，HDOP表示 水平稀释精度，sigmaUERE是用户等效范围误差。

    Method for fabricating semiconductor integrated circuit device
    2.
    发明授权
    Method for fabricating semiconductor integrated circuit device 失效
    制造半导体集成电路器件的方法

    公开(公告)号：US06458602B1

    公开(公告)日：2002-10-01

    申请号：US09889855

    申请日：2001-07-23

    申请人： Takashi Yunogami ,  Kenichi Shoji

    发明人： Takashi Yunogami ,  Kenichi Shoji

    IPC分类号： H01L2100

    CPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55

    摘要： According to the invention of the present application, for providing an etching technique for a wiring layer capable of decreasing the degradation of characteristics of a ferroelectric film in FeRAM, a wiring material (LI wiring 18, Al wiring 30) connected with an electrode layer of a ferroelectric film 11 (lower electrode 10, upper electrode 12) is fabricated by dry etching using inducely coupled plasma upon forming the wiring layer and, successively, applied with an asher treatment at a temperature of 300° C. or higher by using inducely coupled plasma while introducing a gas mixture, for example, of O2+CF4+H2O.

    摘要翻译： 根据本申请的发明，为了提供能够降低FeRAM中的铁电体膜的特性劣化的布线层的蚀刻技术，可以将与电极层的电极层连接的布线材料（LI布线18，Al布线30） 通过在形成布线层时使用诱导耦合等离子体进行干法蚀刻制造铁电体膜11（下电极10，上电极12），并且通过使用诱导耦合的方式在300℃以上的温度下进行灰处理 同时引入例如O 2 + CF 4 + H 2 O的气体混合物。