公开(公告)号：US20080258271A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：US12079757

申请日：2008-03-28

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Sang-Yeol Kang ,  Ki-Vin Lim ,  Hoon-Sang Choi ,  Eun-Ae Chung

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Sang-Yeol Kang ,  Ki-Vin Lim ,  Hoon-Sang Choi ,  Eun-Ae Chung

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/56 ,  H01L29/511

摘要： A multi-dielectric film including at least one first dielectric film that is a composite film made of zirconium-hafnium-oxide and at least one second dielectric film that is a metal oxide film made of amorphous metal oxide. Adjacent ones of the dielectric films are made of different materials.

摘要翻译： 一种多介电膜，其包括至少一个作为由锆 - 铪氧化物构成的复合膜的第一电介质膜和至少一个作为由非晶态金属氧化物构成的金属氧化物膜的第二电介质膜。 相邻的电介质膜由不同的材料制成。

公开(公告)号：US08110473B2

公开(公告)日：2012-02-07

申请号：US12635013

申请日：2009-12-10

申请人： Sang-yeol Kang ,  Jong-cheol Lee ,  Ki-vin Lim ,  Hoon-sang Choi ,  Eun-ae Chung

发明人： Sang-yeol Kang ,  Jong-cheol Lee ,  Ki-vin Lim ,  Hoon-sang Choi ,  Eun-ae Chung

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L27/10852

摘要： A semiconductor device including a multilayer dielectric film and a method for fabricating the semiconductor device are disclosed. The multilayer dielectric film includes a type-one dielectric film having a tetragonal crystalline structure, wherein the type-one dielectric film comprises a first substance. The multilayer dielectric film also comprises a type-two dielectric film also having a tetragonal crystalline structure, wherein the type-two dielectric film comprises a second substance different from the first substance and a dielectric constant of the type-two dielectric film is greater than a dielectric constant of the type-one dielectric film.

摘要翻译： 公开了一种包括多层介质膜的半导体器件和用于制造半导体器件的方法。 所述多层电介质膜包括具有四方晶系结构的一型电介质膜，其中，所述一型电介质膜包含第一物质。 所述多层绝缘膜还包括也具有四方晶系结构的二型电介质膜，其中所述二型电介质膜包括与所述第一物质不同的第二物质，并且所述二型电介质膜的介电常数大于 介电常数介电常数为1。

公开(公告)号：US20100255651A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：US12635013

申请日：2009-12-10

申请人： Sang-yeol KANG ,  Jong-cheol LEE ,  Ki-vin LIM ,  Hoon-sang CHOI ,  Eun-ae CHUNG

发明人： Sang-yeol KANG ,  Jong-cheol LEE ,  Ki-vin LIM ,  Hoon-sang CHOI ,  Eun-ae CHUNG

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L27/10852

摘要： A semiconductor device including a multilayer dielectric film and a method for fabricating the semiconductor device are disclosed. The multilayer dielectric film includes a type-one dielectric film having a tetragonal crystalline structure, wherein the type-one dielectric film comprises a first substance. The multilayer dielectric film also comprises a type-two dielectric film also having a tetragonal crystalline structure, wherein the type-two dielectric film comprises a second substance different from the first substance and a dielectric constant of the type-two dielectric film is greater than a dielectric constant of the type-one dielectric film.

摘要翻译： 公开了一种包括多层介质膜的半导体器件和用于制造半导体器件的方法。 所述多层电介质膜包括具有四方晶系结构的一型电介质膜，其中，所述一型电介质膜包含第一物质。 所述多层绝缘膜还包括也具有四方晶系结构的二型电介质膜，其中所述二型电介质膜包括与所述第一物质不同的第二物质，并且所述二型电介质膜的介电常数大于 介电常数介电常数为1。

公开(公告)号：US20080203529A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US12034868

申请日：2008-02-21

申请人： Sang-yeol Kang ,  Jong-cheol Lee ,  Ki-vin Lim ,  Hoon-sang Choi ,  Eun-ae Chung

发明人： Sang-yeol Kang ,  Jong-cheol Lee ,  Ki-vin Lim ,  Hoon-sang Choi ,  Eun-ae Chung

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L27/10852

摘要： A semiconductor device including a multilayer dielectric film and a method for fabricating the semiconductor device are disclosed. The multilayer dielectric film includes a type-one dielectric film having a tetragonal crystalline structure, wherein the type-one dielectric film comprises a first substance. The multilayer dielectric film also comprises a type-two dielectric film also having a tetragonal crystalline structure, wherein the type-two dielectric film comprises a second substance different from the first substance and a dielectric constant of the type-two dielectric film is greater than a dielectric constant of the type-one dielectric film.

摘要翻译： 公开了一种包括多层介质膜的半导体器件和用于制造半导体器件的方法。 所述多层电介质膜包括具有四方晶系结构的一型电介质膜，其中，所述一型电介质膜包含第一物质。 所述多层绝缘膜还包括也具有四方晶系结构的二型电介质膜，其中所述二型电介质膜包括与所述第一物质不同的第二物质，并且所述二型电介质膜的介电常数大于 介电常数介电常数为1。

公开(公告)号：US07939872B2

公开(公告)日：2011-05-10

申请号：US12079757

申请日：2008-03-28

申请人： Jong-Cheol Lee ,  Sang-Yeol Kang ,  Ki-Vin Lim ,  Hoon-Sang Choi ,  Eun-Ae Chung

发明人： Jong-Cheol Lee ,  Sang-Yeol Kang ,  Ki-Vin Lim ,  Hoon-Sang Choi ,  Eun-Ae Chung

IPC分类号： H01L29/51

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/56 ,  H01L29/511

摘要： A multi-dielectric film including at least one first dielectric film that is a composite film made of zirconium-hafnium-oxide and at least one second dielectric film that is a metal oxide film made of amorphous metal oxide. Adjacent ones of the dielectric films are made of different materials.

摘要翻译： 一种多介电膜，其包括至少一个作为由锆 - 铪氧化物构成的复合膜的第一电介质膜和至少一个作为由非晶态金属氧化物构成的金属氧化物膜的第二电介质膜。 相邻的电介质膜由不同的材料制成。