公开(公告)号：US06699795B1

公开(公告)日：2004-03-02

申请号：US10099841

申请日：2002-03-15

申请人： Benjamin Schwarz ,  Chan-Lon Yang ,  Kiyoko Ikeuchi ,  Peter Keswick ,  Lien Lee

发明人： Benjamin Schwarz ,  Chan-Lon Yang ,  Kiyoko Ikeuchi ,  Peter Keswick ,  Lien Lee

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  Y10S438/952

摘要： A method of making a semiconductor structure includes etching an anti-reflective coating layer at a pressure of 10 millitorr or less; etching a nitride layer with a first nitride etch plasma having a first F:C ratio; and etching the nitride layer with a second nitride etch plasma having a second F:C ratio. The first F:C ratio is greater than the second F:C ratio.

摘要翻译： 制造半导体结构的方法包括在10毫托或更低的压力下蚀刻抗反射涂层; 用具有第一F：C比率的第一氮化物蚀刻等离子体蚀刻氮化物层; 并用具有第二F：C比率的第二氮化物蚀刻等离子体蚀刻氮化物层。 第一F：C比大于第二F：C比。

公开(公告)号：US07112834B1

公开(公告)日：2006-09-26

申请号：US10791657

申请日：2004-03-02

申请人： Benjamin Schwarz ,  Chan-Lon Yang ,  Kiyoko Ikeuchi ,  Peter Keswick ,  Lien Lee

发明人： Benjamin Schwarz ,  Chan-Lon Yang ,  Kiyoko Ikeuchi ,  Peter Keswick ,  Lien Lee

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  Y10S438/952

摘要： A method of making a semiconductor structure includes etching an anti-reflective coating layer at a pressure of 10 millitorr or less; etching a nitride layer with a first nitride etch plasma having a first F:C ratio; and etching the nitride layer with a second nitride etch plasma having a second F:C ratio. The first F:C ratio is greater than the second F:C ratio.

摘要翻译： 制造半导体结构的方法包括在10毫托或更低的压力下蚀刻抗反射涂层; 用具有第一F：C比率的第一氮化物蚀刻等离子体蚀刻氮化物层; 并用具有第二F：C比率的第二氮化物蚀刻等离子体蚀刻氮化物层。 第一F：C比大于第二F：C比。