公开(公告)号：US20090034362A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US12088688

申请日：2005-09-29

申请人： Kazuhiro Mae ,  Junichi Yoshida ,  Seiji Suga ,  Tatsuya Kawaguchi ,  Jun Tanabe ,  Noboru Daito ,  Hideharu Nagasawa ,  Hideyuki Nomura ,  Shigeki Hikage ,  Kunio Yube

发明人： Kazuhiro Mae ,  Junichi Yoshida ,  Seiji Suga ,  Tatsuya Kawaguchi ,  Jun Tanabe ,  Noboru Daito ,  Hideharu Nagasawa ,  Hideyuki Nomura ,  Shigeki Hikage ,  Kunio Yube

IPC分类号： B81B1/00 ,  B01F15/02

CPC分类号： B01F5/0256 ,  B01F13/0059 ,  B01J19/0093 ,  B01J2219/00783 ,  B01J2219/00788 ,  B01J2219/00804 ,  B01J2219/00822 ,  B01J2219/00831 ,  B01J2219/00833 ,  B01J2219/0086 ,  B01J2219/00867 ,  B01J2219/00873 ,  B01J2219/00889 ,  B01J2219/00891

摘要： There is provided a microdevice which supplies two or more kinds of fluids flowed into itself independently toward a joining region respectively, and which discharges those fluids from the joining region. The microdevice is constituted by a supply channel which supplies each fluid flowed into the microdevice toward the joining region and a discharge channel which discharges the joined fluid from the joining region toward outside of the microdevice, in a manner that a supply channel which supplies at least one kind of the fluid has a plurality of subchannels which supply the fluid supplied into the microdevice toward the joining region, and those subchannels and supply channels are formed so that at least one central axis of the plurality of subchannels and at least one central axis of the supply channel which supplies at least one kind of fluid other than the kind that the subchannel supplies or of the subchannel intersect at one point.

摘要翻译： 提供了一种微型装置，其分别向接合区域单独供给两种或更多种流体，并且从接合区域排出这些流体。 所述微型装置由向所述接合区域供给流入所述微型装置的各流体的供给路径和从所述接合区域朝向所述微型装置的外部排出所述接合流体的排出通道构成，所述排出通路以至少供给至少 一种流体具有多个子通道，其将供应到微型装置中的流体朝向接合区域供应，并且这些子通道和供给通道形成为使得多个子通道的至少一个中心轴线和至少一个中心轴线 提供至少一种类型的流体的供应通道，除了子通道所提供的种类或子通道在一点相交之外。

公开(公告)号：US20140131615A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：US14130779

申请日：2012-06-28

申请人： Satoshi Tamai ,  Kunio Yube ,  Satoshi Okabe

发明人： Satoshi Tamai ,  Kunio Yube ,  Satoshi Okabe

IPC分类号： C23F1/18

CPC分类号： C23F1/18 ,  C09K13/04 ,  C23F1/16 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134 ,  H05K3/067 ,  H05K2201/0338

摘要： The present invention relates to an etching solution for copper or a compound comprised mainly of copper, wherein the etching solution contains (A) a maleic acid ion source and (B) a copper ion source, and an etching method using the etching solution.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于铜或主要由铜构成的化合物的蚀刻溶液，其中蚀刻溶液含有（A）马来酸离子源和（B）铜离子源，以及使用该蚀刻溶液的蚀刻方法。

公开(公告)号：US09644274B2

公开(公告)日：2017-05-09

申请号：US14130779

申请日：2012-06-28

申请人： Satoshi Tamai ,  Kunio Yube ,  Satoshi Okabe

发明人： Satoshi Tamai ,  Kunio Yube ,  Satoshi Okabe

IPC分类号： C03C15/00 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/3213 ,  C23F1/44 ,  C09K13/04 ,  H05K3/06 ,  C23F1/16

CPC分类号： C23F1/18 ,  C09K13/04 ,  C23F1/16 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134 ,  H05K3/067 ,  H05K2201/0338

摘要： The present invention relates to an etching solution for copper or a compound comprised mainly of copper, wherein the etching solution contains (A) a maleic acid ion source and (B) a copper ion source, and an etching method using the etching solution.

公开(公告)号：US09580818B2

公开(公告)日：2017-02-28

申请号：US13805118

申请日：2011-05-27

申请人： Satoshi Tamai ,  Satoshi Okabe ,  Masahide Matsubara ,  Kunio Yube

发明人： Satoshi Tamai ,  Satoshi Okabe ,  Masahide Matsubara ,  Kunio Yube

IPC分类号： C23F1/10 ,  C23F1/14 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/34 ,  C23F1/38 ,  H01L21/3213

CPC分类号： C23F1/10 ,  C23F1/14 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/34 ,  C23F1/38 ,  H01L21/32134

摘要： The present invention relates to an etching solution for a multilayer thin film containing a copper layer and a molybdenum layer, and a method of etching a multilayer thin film containing a copper layer and a molybdenum layer using the etching solution. There are provided an etching solution for a multilayer thin film containing a copper layer and a molybdenum layer, including (A) an organic acid ion supply source containing two or more carboxyl groups and one or more hydroxyl groups in a molecule thereof, (B) a copper ion supply source and (C) an ammonia and/or ammonium ion supply source, the etching solution having a pH value of from 5 to 8, and an etching method using the etching solution.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于含有铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻溶液，以及使用该蚀刻溶液蚀刻含有铜层和钼层的多层薄膜的方法。 提供了含有铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻溶液，包括（A）分子中含有两个以上羧基和一个以上羟基的有机酸离子供给源，（B） 铜离子供应源和（C）氨和/或铵离子供应源，所述蚀刻溶液具有5至8的pH值，以及使用蚀刻溶液的蚀刻方法。

公开(公告)号：US20130105729A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13805118

申请日：2011-05-27

申请人： Satoshi Tamai ,  Satoshi Okabe ,  Masahide Matsubara ,  Kunio Yube

发明人： Satoshi Tamai ,  Satoshi Okabe ,  Masahide Matsubara ,  Kunio Yube

IPC分类号： C23F1/10

CPC分类号： C23F1/10 ,  C23F1/14 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/34 ,  C23F1/38 ,  H01L21/32134

摘要： The present invention relates to an etching solution for a multilayer thin film containing a copper layer and a molybdenum layer, and a method of etching a multilayer thin film containing a copper layer and a molybdenum layer using the etching solution. There are provided an etching solution for a multilayer thin film containing a copper layer and a molybdenum layer, including (A) an organic acid ion supply source containing two or more carboxyl groups and one or more hydroxyl groups in a molecule thereof, (B) a copper ion supply source and (C) an ammonia and/or ammonium ion supply source, the etching solution having a pH value of from 5 to 8, and an etching method using the etching solution.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于含有铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻溶液，以及使用该蚀刻溶液蚀刻含有铜层和钼层的多层薄膜的方法。 提供了含有铜层和钼层的多层薄膜的蚀刻溶液，包括（A）分子中含有两个以上羧基和一个以上羟基的有机酸离子供给源，（B） 铜离子供应源和（C）氨和/或铵离子供应源，所述蚀刻溶液具有5至8的pH值，以及使用蚀刻溶液的蚀刻方法。