公开(公告)号：US4423356A

公开(公告)日：1983-12-27

申请号：US383143

申请日：1982-05-28

申请人： Sei Sato ,  Masayuki Wakitani ,  Kenichi Oki ,  Shoshin Miura ,  Hisashi Yamaguchi ,  Yoshinori Miyashita ,  Tsutae Shinoda ,  Kazuo Yoshikawa ,  Kurahashi Keizo ,  Toyoshi Kawada

发明人： Sei Sato ,  Masayuki Wakitani ,  Kenichi Oki ,  Shoshin Miura ,  Hisashi Yamaguchi ,  Yoshinori Miyashita ,  Tsutae Shinoda ,  Kazuo Yoshikawa ,  Kurahashi Keizo ,  Toyoshi Kawada

IPC分类号： H01J11/12 ,  H01J11/22 ,  H01J11/34 ,  H01J11/38 ,  H01J65/00 ,  H05B41/00

CPC分类号： H01J11/00

摘要： An AC memory driving type self-shift type gas discharge panel prevents accidental abnormal discharges caused by deviated abnormal charges. Abnormal charges are significantly accumulated at both ends of a shift channel consisting of a regular arrangement of a write discharge cell and shift discharge cells. Therefore, conductive layers are provided adjacent to at least both ends of the shift channel in order to dissipate the abormal charges.

摘要翻译： 交流存储器驱动型自移型气体放电板防止由异常充电引起的意外异常放电。 在由写入放电单元和移位放电单元的规则排列组成的移位通道的两端显着累积异常电荷。 因此，为了消除正常的电荷，导电层被设置成与移位通道的至少两端相邻。