公开(公告)号：US5223079A

公开(公告)日：1993-06-29

申请号：US670555

申请日：1991-03-18

申请人： Kwong-Hang Leung ,  Arumugam Satyanarayan ,  Ronald W. Slocumb

发明人： Kwong-Hang Leung ,  Arumugam Satyanarayan ,  Ronald W. Slocumb

IPC分类号： C30B19/00 ,  C30B19/06 ,  H01L21/208

CPC分类号： C30B19/00 ,  C30B19/063 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  Y10S148/101

摘要： A thin layer of liquid phase epitaxial melt material (26) is formed on a wafer (15,16). The thin melt layer (26) is held in contact with the wafer (15,16) while the temperature of the thin melt layer (26) and the wafer (15,16) are reduced to crystallize a portion of the melt material thereby producing thin and accurately controlled epitaxial layers on the wafer (15,16).

摘要翻译： 在晶片（15,16）上形成薄层的液相外延熔融材料（26）。 薄熔体层（26）与晶片（15,16）保持接触，而薄熔体层（26）和晶片（15,16）的温度被降低以使熔融材料的一部分结晶，从而产生 薄且精确控制的外延层在晶片（15,16）上。