公开(公告)号：US07432229B2

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：US10809174

申请日：2004-03-23

申请人： Mariappan P. Paranthaman ,  Tolga Aytug

发明人： Mariappan P. Paranthaman ,  Tolga Aytug

IPC分类号： H01L39/12 ,  H01B12/00 ,  B32B15/04

CPC分类号： H01L39/2461 ,  Y10S428/93 ,  Y10S505/704 ,  Y10S505/74 ,  Y10T29/49014

摘要： Laminated, biaxially textured superconductors include Ir-based buffer layers and/or substrates.

摘要翻译： 层压双轴纹理超导体包括基于Ir的缓冲层和/或衬底。

公开(公告)号：US06764770B2

公开(公告)日：2004-07-20

申请号：US10324883

申请日：2002-12-19

申请人： Mariappan P. Paranthaman ,  Tolga Aytug ,  David K. Christen ,  Roeland Feenstra ,  Amit Goyal

发明人： Mariappan P. Paranthaman ,  Tolga Aytug ,  David K. Christen ,  Roeland Feenstra ,  Amit Goyal

IPC分类号： B32B1504

CPC分类号： H01L39/2461 ,  C30B23/02 ,  C30B29/225 ,  C30B29/24

摘要： Materials for depositing buffer layers on biaxially textured and untextured metallic and metal oxide substrates for use in the manufacture of superconducting and other electronic articles comprise RMnO3, R1−xAxMnO3, and combinations thereof; wherein R includes an element selected from the group consisting of La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, and Y, and A includes an element selected from the group consisting of Be, Mg, Ca, Sr, Ba, and Ra.

摘要翻译： 用于在用于制造超导和其它电子制品的双轴织构和非纹理的金属和金属氧化物基底上沉积缓冲层的材料包括RMnO3，R1-xAxMnO3及其组合; 其中R包括选自La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu和Y中的元素，A包括选择的元素 由Be，Mg，Ca，Sr，Ba和Ra组成的组。