公开(公告)号：US08541812B2

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：US12918542

申请日：2009-02-26

申请人： Philippe Meunier-Beillard ,  Mark C. J. C. M. Kramer ,  Johannes J. T. M. Donkers ,  Guillaume Boccardi

发明人： Philippe Meunier-Beillard ,  Mark C. J. C. M. Kramer ,  Johannes J. T. M. Donkers ,  Guillaume Boccardi

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7378

摘要： A semiconductor device (10) comprising a bipolar transistor and a field effect transistor within a semiconductor body (1) comprising a projecting mesa (5) within which are at least a portion of a collector region (22d and 22e) and a base region (33d) of the bipolar transistor. The bipolar transistor is provided with a first insulating cavity (92) provided in the collector region (22d and 22e). The base region (33d) is narrower in the plane of the substrate than the collector region (22d and 22e) due to a second insulating cavity (94) provided around the base region (33d) and between the collector region (22d and 22e) and the emitter region (4). By blocking diffusion from the base region the first insulating cavity (92) provides a reduction in the base collector capacitance and can be described as defining the base contact.

摘要翻译： 一种半导体器件（10），包括半导体本体（1）内的双极晶体管和场效应晶体管，所述半导体本体（1）包括突出台面（5），所述突出台面（5）中至少一部分为集电极区域（22d和22e）和基极区域 33d）。 双极晶体管设置有设置在集电区域（22d和22e）中的第一绝缘腔（92）。 基极区域（33d）由于设置在基极区域（33d）周围的第二绝缘腔（94d）和集电极区域（22d〜22e）之间，在基板的平面内比集电体区域（22d，22e）窄， 和发射极区域（4）。 通过阻挡来自基极区域的扩散，第一绝缘腔（92）提供基极集电极电容的减小并且可以被描述为限定基极触点。

公开(公告)号：US20110198671A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US13059277

申请日：2009-08-05

申请人： Guillaume Boccardi ,  Mark C. J. C. M. Kramer ,  Johannes J. T. M. Donkers ,  Li Jen Choi ,  Stefaan Decoutere ,  Arturo Sibaja-Hernandez ,  Stefaan Van Huylenbroeck ,  Rafael Venegas

发明人： Guillaume Boccardi ,  Mark C. J. C. M. Kramer ,  Johannes J. T. M. Donkers ,  Li Jen Choi ,  Stefaan Decoutere ,  Arturo Sibaja-Hernandez ,  Stefaan Van Huylenbroeck ,  Rafael Venegas

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/1004 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66287

摘要： The invention relates to a semiconductor device (30) comprising a substrate (1), a semiconductor body (25) comprising a bipolar transistor that comprises a collector region (3), a base region (4), and an emitter region (15), wherein at least a portion of the collector region (3) is surrounded by a first isolation region (2, 8), the semiconductor body (25) further comprises an extrinsic base region (35) arranged in contacting manner to the base region (4). In this way, a fast semiconductor device with reduced impact of parasitic components is obtained.

摘要翻译： 本发明涉及一种包括衬底（1）的半导体器件（30），包括集电极区（3），基极区（4）和发射极区域（15））的双极晶体管的半导体本体（25） ，其中所述集电极区域（3）的至少一部分被第一隔离区域（2,8）包围，所述半导体本体（25）还包括以与所述基极区域接触的方式布置的外部基极区域（35） 4）。 以这种方式，获得了具有减小的寄生分量影响的快速半导体器件。

公开(公告)号：US09041149B2

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：US13059277

申请日：2009-08-05

申请人： Guillaume Boccardi ,  Mark C. J. C. M. Kramer ,  Johannes J. T. M. Donkers ,  Li Jen Choi ,  Stefaan Decoutere ,  Arturo Sibaja-Hernandez ,  Stefaan Van Huylenbroeck ,  Rafael Venegas

发明人： Guillaume Boccardi ,  Mark C. J. C. M. Kramer ,  Johannes J. T. M. Donkers ,  Li Jen Choi ,  Stefaan Decoutere ,  Arturo Sibaja-Hernandez ,  Stefaan Van Huylenbroeck ,  Rafael Venegas

IPC分类号： H01L21/70 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/1004 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66287

摘要： The invention relates to a semiconductor device (30) comprising a substrate (1), a semiconductor body (25) comprising a bipolar transistor that comprises a collector region (3), a base region (4), and an emitter region (15), wherein at least a portion of the collector region (3) is surrounded by a first isolation region (2, 8), the semiconductor body (25) further comprises an extrinsic base region (35) arranged in contacting manner to the base region (4). In this way, a fast semiconductor device with reduced impact of parasitic components is obtained.

摘要翻译： 本发明涉及一种包括基板（1）的半导体器件（30），包括集电极区（3），基极区（4）和发射极区（15））的双极晶体管的半导体本体（25） ，其中所述集电极区域（3）的至少一部分被第一隔离区域（2,8）包围，所述半导体本体（25）还包括以与所述基极区域接触的方式布置的外部基极区域（35） 4）。 以这种方式，获得了具有减小的寄生分量影响的快速半导体器件。