公开(公告)号：US20080220153A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：US12043309

申请日：2008-03-06

申请人： Shyama P. Mukherjee ,  Mark L.F. Phillips ,  Travis P.S. Thoms

发明人： Shyama P. Mukherjee ,  Mark L.F. Phillips ,  Travis P.S. Thoms

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01G4/10 ,  H01G4/33 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  Y10T29/43

摘要： A method of fabrication of high-k paraelectric metal oxide films at low temperatures utilizing ordered mesoporous metal oxide thin films synthesized by organic templating methodology. The process consisting of (a) chemical solution deposition of periodic ordered mesoporous structures containing high-k metal oxide films, (b) removal of organic template additives, (c) infiltration of the pores with an appropriate second phase, and (d) low temperature thermal and/or annealing of infiltrated films.

摘要翻译： 一种利用有机模板法合成的有序介孔金属氧化物薄膜在低温下制造高k正电介质金属氧化物薄膜的方法。 该方法包括（a）含有高k金属氧化物膜的定期有序中孔结构的化学溶液沉积，（b）去除有机模板添加剂，（c）适当的第二相渗透孔，和（d）低 渗透膜的温度热和/或退火。