公开(公告)号：US20080009231A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11771495

申请日：2007-06-29

申请人： Mark Stinson ,  Madhavan Esayanur ,  Dennis Buese ,  Emanuele Corsi ,  Ezio Bovio ,  Antonio Rinaldi ,  Larry Flannery

发明人： Mark Stinson ,  Madhavan Esayanur ,  Dennis Buese ,  Emanuele Corsi ,  Ezio Bovio ,  Antonio Rinaldi ,  Larry Flannery

IPC分类号： B24B53/00

CPC分类号： B24B53/017

摘要： A dressing apparatus for dressing a polishing pad includes a dressing member engageable with the polishing pad. The dressing apparatus is adapted to change the amount of force exerted by the dressing member on the polishing pad as the dressing member moves radially along the polishing pad. A controller for controlling the dressing apparatus has pre-programmed recipes that are selectable based on the radial profile of a measured polished wafer.

摘要翻译： 用于修整抛光垫的修整装置包括可与抛光垫接合的修整构件。 修整装置适于在修整构件沿着抛光垫径向移动时改变由修整构件施加在抛光垫上的力的量。 用于控制敷料装置的控制器具有基于被测量的抛光晶片的径向轮廓可选择的预编程配方。

公开(公告)号：US20060075960A1

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：US11284120

申请日：2005-11-21

申请人： Marco Borgini ,  Daniela Gambaro ,  Marco Ravani ,  Michael Ries ,  Laura Sacchetti ,  Robert Standley ,  Robert Falster ,  Mark Stinson

发明人： Marco Borgini ,  Daniela Gambaro ,  Marco Ravani ,  Michael Ries ,  Laura Sacchetti ,  Robert Standley ,  Robert Falster ,  Mark Stinson

IPC分类号： C30B11/00

CPC分类号： H01L21/3225 ,  Y10T117/10

摘要： A process for nucleating and growing oxygen precipitates in a silicon wafer, including subjecting a wafer having a non-uniform concentration of crystal lattice vacancies with the concentration of vacancies in the bulk layer being greater than the concentration of vacancies in the surface layer to a non-isothermal heat treatment to form of a denuded zone in the surface layer and to cause the formation and stabilization of oxygen precipitates having an effective radial size 0.5 nm to 30 nm in the bulk layer. The process optionally includes subjecting the stabilized wafer to a high temperature thermal process (e.g. epitaxial deposition, rapid thermal oxidation, rapid thermal nitridation and etc.) at temperatures in the range of 1000 OC to 1275 OC without causing the dissolution of the stabilized oxygen precipitates.

摘要翻译： 一种用于在硅晶片中成核和生长氧沉淀物的方法，包括使具有不均匀浓度的晶格空位的晶片与本体层中的空位浓度大于表层中的空位浓度， 进行等温热处理以形成表面层中的剥离区域，并且使本体层中具有0.5nm至30nm有效径向尺寸的氧沉淀物的形成和稳定化。 该方法任选地包括在1000℃至1275℃范围内的温度下使稳定的晶片经受高温热处理（例如外延沉积，快速热氧化，快速热氮化等），而不会使稳定的氧沉淀物溶解 。

公开(公告)号：US20080099717A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11968381

申请日：2008-01-02

申请人： Mark Stinson ,  Henry Erk ,  Guoqiang (David) Zhang

发明人： Mark Stinson ,  Henry Erk ,  Guoqiang (David) Zhang

IPC分类号： C09K13/06

CPC分类号： H01L21/30608 ,  C09K13/02 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3245 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02019

摘要： A process for etching silicon wafers using a caustic etchant in the form of an aqueous solution comprising water, a hydroxide ion source, and a chelating agent. The process produces silicon wafers substantially free from diffused metal ions.

摘要翻译： 使用包含水，氢氧根离子源和螯合剂的水溶液形式的苛性蚀刻剂来蚀刻硅晶片的方法。 该方法产生基本上不含扩散金属离子的硅晶片。

公开(公告)号：US20060011588A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：US11152362

申请日：2005-06-14

申请人： Mark Stinson ,  Henry Erk ,  Guoqiang Zhang ,  Mick Bjelopavlic ,  Alexis Grabbe ,  Jozef Vermeire ,  Judith Schmidt ,  Thomas Doane ,  James Capstick

发明人： Mark Stinson ,  Henry Erk ,  Guoqiang Zhang ,  Mick Bjelopavlic ,  Alexis Grabbe ,  Jozef Vermeire ,  Judith Schmidt ,  Thomas Doane ,  James Capstick

IPC分类号： B44C1/22 ,  C09K13/02

CPC分类号： H01L21/30608 ,  C09K13/02 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3245 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02019

摘要： A process for etching silicon wafers using a caustic etchant in the form of an aqueous solution comprising water, a hydroxide ion source, and a chelating agent. The process produces silicon wafers substantially free from diffused metal ions.

摘要翻译： 使用包含水，氢氧根离子源和螯合剂的水溶液形式的苛性蚀刻剂来蚀刻硅晶片的方法。 该方法产生基本上不含扩散金属离子的硅晶片。