公开(公告)号：US08323403B2

公开(公告)日：2012-12-04

申请号：US12016225

申请日：2008-01-18

申请人： Dieter Graef ,  Markus Blietz ,  Reinhold Wahlich ,  Alfred Miller ,  Dirk Zemke

发明人： Dieter Graef ,  Markus Blietz ,  Reinhold Wahlich ,  Alfred Miller ,  Dirk Zemke

IPC分类号： C30B29/06

CPC分类号： H01L21/76254 ,  C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/3226

摘要： An SOI wafer is constructed from a carrier wafer and a monocrystalline silicon layer having a thickness of less than 500 nm, an excess of interstitial silicon atoms prevailing in the entire volume of the silicon layer. The SOI wafers may be prepared by Czochralski silicon single crystal growth, the condition v/G

摘要翻译： SOI晶片由载体晶片和厚度小于500nm的单晶硅层构成，在硅层的整个体积中存在过量的间隙硅原子。 可以通过Czochralski硅单晶生长制备SOI晶片，在整个晶体截面处在结晶前沿满足条件v / G <（v / G）crit = 1.3×10 -3 cm 2 /（K·min） ，结果是在所生成的硅单晶中存在过量的间隙硅原子; 从该硅单晶分离至少一个施主晶片，将施主晶片与载体晶片的接合以及施主晶片的厚度的减小，结果是厚度小于500nm的硅层与 载体晶片残留。

公开(公告)号：US07394129B2

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：US11104715

申请日：2005-04-13

申请人： Dieter Gräf ,  Markus Blietz ,  Reinhold Wahlich ,  Alfred Miller ,  Dirk Zemke

发明人： Dieter Gräf ,  Markus Blietz ,  Reinhold Wahlich ,  Alfred Miller ,  Dirk Zemke

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L21/76254 ,  C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/3226

摘要： An SOI wafer is constructed from a carrier wafer and a monocrystalline silicon layer having a thickness of less than 500 nm, an excess of interstitial silicon atoms prevailing in the entire volume of the silicon layer. The SOI wafers may be prepared by Czochralski silicon single crystal growth, the condition v/G

摘要翻译： SOI晶片由载体晶片和厚度小于500nm的单晶硅层构成，在硅层的整个体积中存在过量的间隙硅原子。 SOI晶片可以通过Czochralski硅单晶生长制备，条件v / G <（V / G） = 1.3×10 -3 cm 2 在整个晶体截面上在结晶前沿实现/SUP>/(K.min），结果产生的硅单晶中存在过量的间隙硅原子; 从该硅单晶分离至少一个施主晶片，将施主晶片与载体晶片的接合以及施主晶片的厚度减小，结果是厚度小于500nm的硅层与 载体晶片残留。

公开(公告)号：US20080122043A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US12023102

申请日：2008-01-31

申请人： Markus Blietz ,  Robert Hoelzl ,  Reinhold Wahlich ,  Andreas Huber

发明人： Markus Blietz ,  Robert Hoelzl ,  Reinhold Wahlich ,  Andreas Huber

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/2007

摘要： Semiconductor wafers with a diameter of at least 200 mm comprise a silicon carrier wafer, an electrically insulating layer and a semiconductor layer located thereon, the semiconductor wafer having been produced by means of a layer transfer process comprising at least one RTA step, wherein the semiconductor wafer has a warp of less than 30 μm, a DeltaWarp of less than 30 μm, a bow of less than 10 μm and a DeltaBow of less than 10 μm. Processes for the production of a semiconductor wafer of this type require specific heat treatment regimens.

摘要翻译： 直径为至少200mm的半导体晶片包括硅载体晶片，电绝缘层和位于其上的半导体层，半导体晶片已经通过包括至少一个RTA步骤的层转移工艺生产，其中半导体 晶片具有小于30μm的翘曲，小于30μm的DeltaWarp，小于10μm的弓和小于10um的DeltaBow。 用于生产这种类型的半导体晶片的方法需要特定的热处理方案。

公开(公告)号：US07820549B2

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：US12023102

申请日：2008-01-31

申请人： Markus Blietz ,  Robert Hoelzl ,  Reinhold Wahlich ,  Andreas Huber

发明人： Markus Blietz ,  Robert Hoelzl ,  Reinhold Wahlich ,  Andreas Huber

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/2007

摘要： Semiconductor wafers with a diameter of at least 200 mm comprise a silicon carrier wafer, an electrically insulating layer and a semiconductor layer located thereon, the semiconductor wafer having been produced by means of a layer transfer process comprising at least one RTA step, wherein the semiconductor wafer has a warp of less than 30 μm, a DeltaWarp of less than 30 μm, a bow of less than 10 μm and a DeltaBow of less than 10 μm. Processes for the production of a semiconductor wafer of this type require specific heat treatment regimens.

摘要翻译： 直径为至少200mm的半导体晶片包括硅载体晶片，电绝缘层和位于其上的半导体层，半导体晶片已经通过包括至少一个RTA步骤的层转移工艺生产，其中半导体 晶片的翘曲小于30μm，DeltaWarp小于30μm，弓形小于10μm，DeltaBow小于10μm。 用于生产这种类型的半导体晶片的方法需要特定的热处理方案。

公开(公告)号：US20060046431A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US11206599

申请日：2005-08-18

申请人： Markus Blietz ,  Robert Hoelzl ,  Reinhold Wahlich ,  Andreas Huber

发明人： Markus Blietz ,  Robert Hoelzl ,  Reinhold Wahlich ,  Andreas Huber

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/2007

摘要： Semiconductor wafers with a diameter of at least 200 mm comprise a silicon carrier wafer, an electrically insulating layer and a semiconductor layer located thereon, the semiconductor wafer having been produced by means of a layer transfer process comprising at least one RTA step, wherein the semiconductor wafer has a warp of less than 30 μm, a DeltaWarp of less than 30 μm, a bow of less than 10 μm and a DeltaBow of less than 10 μm. Processes for the production of a semiconductor wafer of this type require specific heat treatment regimens.

摘要翻译： 直径为至少200mm的半导体晶片包括硅载体晶片，电绝缘层和位于其上的半导体层，半导体晶片已经通过包括至少一个RTA步骤的层转移工艺生产，其中半导体 晶片具有小于30μm的翘曲，小于30μm的DeltaWarp，小于10μm的弓和小于10um的DeltaBow。 用于生产这种类型的半导体晶片的方法需要特定的热处理方案。

公开(公告)号：US20050245048A1

公开(公告)日：2005-11-03

申请号：US11104715

申请日：2005-04-13

申请人： Dieter Graf ,  Markus Blietz ,  Reinhold Wahlich ,  Alfred Miller ,  Dirk Zemke

发明人： Dieter Graf ,  Markus Blietz ,  Reinhold Wahlich ,  Alfred Miller ,  Dirk Zemke

IPC分类号： H01L21/322 ,  C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/30 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/76254 ,  C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/3226

摘要： An SOI wafer is constructed from a carrier wafer and a monocrystalline silicon layer having a thickness of less than 500 nm, an excess of interstitial silicon atoms prevailing in the entire volume of the silicon layer. The SOI wafers may be prepared by Czochralski silicon single crystal growth, the condition v/G

摘要翻译： SOI晶片由载体晶片和厚度小于500nm的单晶硅层构成，在硅层的整个体积中存在过量的间隙硅原子。 SOI晶片可以通过Czochralski硅单晶生长制备，条件v / G <（V / G） = 1.3×10 -3 cm 2 在整个晶体截面上在结晶前沿实现/SUP>/(K.min），结果产生的硅单晶中存在过量的间隙硅原子; 从该硅单晶分离至少一个施主晶片，将施主晶片与载体晶片的接合以及施主晶片的厚度减小，结果是厚度小于500nm的硅层与 载体晶片残留。

公开(公告)号：US20080153259A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US12016225

申请日：2008-01-18

申请人： Dieter Graef ,  Markus Blietz ,  Reinhold Wahlich ,  Alfred Miller ,  Dirk Zemke

发明人： Dieter Graef ,  Markus Blietz ,  Reinhold Wahlich ,  Alfred Miller ,  Dirk Zemke

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/76254 ,  C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/3226

摘要： An SOI wafer is constructed from a carrier wafer and a monocrystalline silicon layer having a thickness of less than 500 nm, an excess of interstitial silicon atoms prevailing in the entire volume of the silicon layer. The SOI wafers may be prepared by Czochralski silicon single crystal growth, the condition v/G

摘要翻译： SOI晶片由载体晶片和厚度小于500nm的单晶硅层构成，在硅层的整个体积中存在过量的间隙硅原子。 SOI晶片可以通过Czochralski硅单晶生长制备，条件v / G <（V / G） = 1.3×10 -3 cm 2 在整个晶体截面上在结晶前沿实现/SUP>/(K.min），结果产生的硅单晶中存在过量的间隙硅原子; 从该硅单晶分离至少一个施主晶片，将施主晶片与载体晶片的接合以及施主晶片的厚度减小，结果是厚度小于500nm的硅层与 载体晶片残留。