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    Process for producing a single crystal
    1.
    发明授权
    Process for producing a single crystal 失效
    单晶生产工艺

    公开(公告)号：US06228164B1

    公开(公告)日：2001-05-08

    申请号：US09318659

    申请日：1999-05-25

    申请人： Wilfried von Ammon ,  Rüdiger Schmolke ,  Dieter Gräf ,  Ulrich Lambert

    发明人： Wilfried von Ammon ,  Rüdiger Schmolke ,  Dieter Gräf ,  Ulrich Lambert

    IPC分类号： C30B2906

    CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206

    摘要： A process for producing a silicon single crystal has the crystal being pulled using the Czochralski method while being doped with oxygen and nitrogen. The single crystal is doped with oxygen at a concentration of less than 6.5*1017 atoms cm−3 and with nitrogen at a concentration of more than 5*1013 atoms cm−3 while the single crystal is being pulled. Another process is for producing a single crystal from a silicon melt, in which the single crystal is doped with nitrogen and the single crystal is pulled at a rate V, an axial temperature gradient G(r) being set up at the interface of the single crystal and the melt, in which the ratio V/G(r) in the radial direction is at least partially less than 1.3*10−3cm2min−1 K−1.

    摘要翻译： 一种制造硅单晶的方法，在掺杂氧和氮的同时，使用Czochralski法拉伸晶体。 单晶掺杂浓度小于6.5×1017原子cm-3的氧，浓度大于5×1013原子cm-3的氮，同时拉伸单晶。 另一种方法是从硅熔体制造单晶，其中单晶掺杂有氮，单晶以速率V被拉动，轴向温度梯度G（r）被设置在单晶的界面处 晶体和熔体，其中径向方向上的比率V / G（r）至少部分地小于1.3×10-3cm2min-1K-1。

    Method for the production of an epitaxially grown semiconductor wafer
    2.
    发明授权
    Method for the production of an epitaxially grown semiconductor wafer 失效
    用于生产外延生长的半导体晶片的方法

    公开(公告)号：US06630024B2

    公开(公告)日：2003-10-07

    申请号：US09864994

    申请日：2001-05-24

    申请人： Rüdiger Schmolke ,  Reinhard Schauer ,  Günther Obermeier ,  Dieter Gräf ,  Peter Storck ,  Klaus Messmann ,  Wolfgang Siebert

    发明人： Rüdiger Schmolke ,  Reinhard Schauer ,  Günther Obermeier ,  Dieter Gräf ,  Peter Storck ,  Klaus Messmann ,  Wolfgang Siebert

    IPC分类号： C30B2500

    CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B25/02

    摘要： A method for the production of a semiconductor wafer having a front and a back and an epitaxial layer of semiconductor material deposited on the front, includes the following process steps: (a) preparing a substrate wafer having a polished front and a specific thickness; (b) pretreating the front of the substrate wafer in the presence of HCl gas and a silane source at a temperature of from 950 to 1250 degrees Celsius in an epitaxy reactor, the thickness of the substrate wafer remaining substantially unchanged; and (c) depositing the epitaxial layer on the front of the pretreated substrate wafer.

    摘要翻译： 一种用于制造半导体晶片的方法，该半导体晶片具有沉积在其前面的半导体材料的前表面和外延层，包括以下工艺步骤：（a）制备具有抛光的正面和特定厚度的衬底晶片; b）在外延反应器中在950〜1250摄氏度的温度下，在HCl气体和硅烷源的存在下预处理基板晶片的正面，基板晶片的厚度基本保持不变; 和（c）在预处理的衬底晶片的前面沉积外延层。

    SOI wafer and method for producing it
    3.
    发明授权
    SOI wafer and method for producing it 有权
    SOI晶片及其制造方法

    公开(公告)号：US07394129B2

    公开(公告)日：2008-07-01

    申请号：US11104715

    申请日：2005-04-13

    申请人： Dieter Gräf ,  Markus Blietz ,  Reinhold Wahlich ,  Alfred Miller ,  Dirk Zemke

    发明人： Dieter Gräf ,  Markus Blietz ,  Reinhold Wahlich ,  Alfred Miller ,  Dirk Zemke

    IPC分类号： H01L27/12

    CPC分类号： H01L21/76254 ,  C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/3226

    摘要： An SOI wafer is constructed from a carrier wafer and a monocrystalline silicon layer having a thickness of less than 500 nm, an excess of interstitial silicon atoms prevailing in the entire volume of the silicon layer. The SOI wafers may be prepared by Czochralski silicon single crystal growth, the condition v/G

    摘要翻译： SOI晶片由载体晶片和厚度小于500nm的单晶硅层构成，在硅层的整个体积中存在过量的间隙硅原子。 SOI晶片可以通过Czochralski硅单晶生长制备，条件v / G <（V / G） = 1.3×10 -3 cm 2 在整个晶体截面上在结晶前沿实现/SUP>/(K.min），结果产生的硅单晶中存在过量的间隙硅原子; 从该硅单晶分离至少一个施主晶片，将施主晶片与载体晶片的接合以及施主晶片的厚度减小，结果是厚度小于500nm的硅层与 载体晶片残留。