公开(公告)号：US20110250758A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：US13044891

申请日：2011-03-10

申请人： Hyun-Su JUN ,  Ki-Sang Kim ,  Seung-Heong Lee ,  Jong-Bum Kim ,  Min-Woung Choi ,  In-Joong Kim

发明人： Hyun-Su JUN ,  Ki-Sang Kim ,  Seung-Heong Lee ,  Jong-Bum Kim ,  Min-Woung Choi ,  In-Joong Kim

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32091

摘要： Plasma processing methods of a semiconductor manufacturing apparatus which can minimize the amount of impurities adhered to the surface of a wafer, when a desired process using plasma is performed. According to the plasma processing methods of the semiconductor manufacturing apparatus, after the desired process is completed, the plasma generated over the wafer is diffused, and then the wafer is de-chucked.

摘要翻译： 当进行使用等离子体的所需工艺时，可以使附着到晶片表面的杂质的量最小化的半导体制造装置的等离子体处理方法。 根据半导体制造装置的等离子体处理方法，在所需工艺完成之后，在晶片上产生的等离子体扩散，然后晶片脱卡。

公开(公告)号：US09048189B2

公开(公告)日：2015-06-02

申请号：US13044891

申请日：2011-03-10

申请人： Hyun-Su Jun ,  Ki-Sang Kim ,  Seung-Heong Lee ,  Jong-Bum Kim ,  Min-Woung Choi ,  In-Joong Kim

发明人： Hyun-Su Jun ,  Ki-Sang Kim ,  Seung-Heong Lee ,  Jong-Bum Kim ,  Min-Woung Choi ,  In-Joong Kim

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32091

摘要： Plasma processing methods of a semiconductor manufacturing apparatus which can minimize the amount of impurities adhered to the surface of a wafer, when a desired process using plasma is performed. According to the plasma processing methods of the semiconductor manufacturing apparatus, after the desired process is completed, the plasma generated over the wafer is diffused, and then the wafer is de-chucked.

摘要翻译： 当进行使用等离子体的所需工艺时，可以使附着到晶片表面的杂质的量最小化的半导体制造装置的等离子体处理方法。 根据半导体制造装置的等离子体处理方法，在所需工艺完成之后，在晶片上产生的等离子体扩散，然后晶片脱卡。