公开(公告)号：US20060035788A1

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：US11133269

申请日：2005-05-20

申请人： Yoshihiko Takano ,  Masanori Nagao ,  Minoru Tachiki ,  Hiroshi Kawarada ,  Hitoshi Umezawa ,  Kensaku Kobayashi

发明人： Yoshihiko Takano ,  Masanori Nagao ,  Minoru Tachiki ,  Hiroshi Kawarada ,  Hitoshi Umezawa ,  Kensaku Kobayashi

IPC分类号： C01B31/06 ,  H01L39/24

CPC分类号： C23C16/278 ,  C23C16/274 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

摘要： A heavily boron-doped diamond thin film having superconductivity is deposited by chemical vapor deposition using gas mixture of at least carbon compound and boron compound, including hydrogen. An advantage of the diamond thin film deposited by the chemical vapor deposition is that it can contain boron at high concentration, especially in (111) oriented films. The boron-doped diamond thin film deposited by the chemical vapor deposition shows the characteristics of typical type II superconductor.

摘要翻译： 具有超导性的重硼掺杂金刚石薄膜通过化学气相沉积沉积，其中至少使用包含氢的碳化合物和硼化合物的气体混合物。 通过化学气相沉积沉积的金刚石薄膜的优点是它可以含有高浓度的硼，特别是在（111）取向膜中。 通过化学气相沉积沉积的掺杂硼的金刚石薄膜显示了典型的II型超导体的特性。

公开(公告)号：US07976893B2

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US11133269

申请日：2005-05-20

申请人： Yoshihiko Takano ,  Masanori Nagao ,  Minoru Tachiki ,  Hiroshi Kawarada ,  Hitoshi Umezawa ,  Kensaku Kobayashi

发明人： Yoshihiko Takano ,  Masanori Nagao ,  Minoru Tachiki ,  Hiroshi Kawarada ,  Hitoshi Umezawa ,  Kensaku Kobayashi

IPC分类号： B05D5/12 ,  C23C16/00 ,  C23C8/00 ,  H05H1/30 ,  H05H1/24 ,  B01J3/06 ,  D01C5/00 ,  D01F9/12

CPC分类号： C23C16/278 ,  C23C16/274 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

摘要： A heavily boron-doped diamond thin film having superconductivity is deposited by chemical vapor deposition using gas mixture of at least carbon compound and boron compound, including hydrogen. An advantage of the diamond thin film deposited by the chemical vapor deposition is that it can contain boron at high concentration, especially in (111) oriented films. The boron-doped diamond thin film deposited by the chemical vapor deposition shows the characteristics of typical type II superconductor.

摘要翻译： 具有超导性的重硼掺杂金刚石薄膜通过化学气相沉积沉积，其中至少使用包含氢的碳化合物和硼化合物的气体混合物。 通过化学气相沉积沉积的金刚石薄膜的优点是它可以含有高浓度的硼，特别是在（111）取向膜中。 通过化学气相沉积沉积的掺杂硼的金刚石薄膜显示了典型的II型超导体的特性。