公开(公告)号：US20070059935A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：US11512837

申请日：2006-08-30

申请人： Kazuaki Kozasa ,  Motoharu Yamada ,  Uasuhiro Tomita ,  Hiromi Wakabayashi

发明人： Kazuaki Kozasa ,  Motoharu Yamada ,  Uasuhiro Tomita ,  Hiromi Wakabayashi

IPC分类号： B24B51/00 ,  B24B49/00 ,  B24B7/30

CPC分类号： H01L21/02024 ,  B24B37/044 ,  B24B55/12 ,  B24B57/04 ,  C09G1/02 ,  Y02P70/179

摘要： A polishing method includes a slurry adjusting step for adjusting a polishing slurry containing silica particles so that the number of silica particles having a composition ratio of Si/O of 50-60 wt %/40-50 wt %, a modulus of elasticity of 1.4×1010 Pa or higher and a particle size of 1 μm or larger is 3000 pcs/ml or less. A semiconductor wafer is polished using the polishing slurry adjusted in the slurry adjusting step.

公开(公告)号：US07303691B2

公开(公告)日：2007-12-04

申请号：US11512837

申请日：2006-08-30

申请人： Kazuaki Kozasa ,  Motoharu Yamada ,  Yasuhiro Tomita ,  Hiromi Wakabayashi

发明人： Kazuaki Kozasa ,  Motoharu Yamada ,  Yasuhiro Tomita ,  Hiromi Wakabayashi

IPC分类号： B44C1/22 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/02024 ,  B24B37/044 ,  B24B55/12 ,  B24B57/04 ,  C09G1/02 ,  Y02P70/179

摘要： A polishing method includes a slurry adjusting step for adjusting a polishing slurry containing silica particles so that the number of silica particles having a composition ratio of Si/O of 50–60 wt %/40–50 wt %, a modulus of elasticity of 1.4×1010 Pa or higher and a particle size of 1 μm or larger is 3000 pcs/ml or less. A semiconductor wafer is polished using the polishing slurry adjusted in the slurry adjusting step.

摘要翻译： 抛光方法包括：浆料调整步骤，用于调节含有二氧化硅颗粒的抛光浆料，使得Si / O的组成比为50-60重量％/ 40-50重量％，弹性模量为1.4的二氧化硅颗粒的数量 10×10 Pa以上，1μm以上的粒径为3000个/ ml以下。 使用在浆料调节步骤中调节的研磨浆料对半导体晶片进行抛光。