公开(公告)号：US20050249875A1

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：US11157163

申请日：2005-06-21

申请人： Noboru Sasaki ,  Hiroshi Suzuki ,  Fumitake Koizumi ,  Nobuhiko Imai ,  Kunimasa Arai ,  Hiroyuki Konagai

发明人： Noboru Sasaki ,  Hiroshi Suzuki ,  Fumitake Koizumi ,  Nobuhiko Imai ,  Kunimasa Arai ,  Hiroyuki Konagai

IPC分类号： C23C14/56 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C14/562

摘要： This invention relates to a vacuum vapor-deposition apparatus for forming vapor-deposited films on a base film, thereby to produce vapor-deposited films, and also to a method of producing vapor-deposited films. In the vacuum vapor-deposition apparatus, the synchronizing means equalizes the circumference velocity v1 of the coating roll and the circumference velocity v2 of the takeup guide roll. Hence, v1=v2. Therefore, the takeup guide roll never rubs the vapor-deposited layer provided on the surface of the film. This eliminates the possibility that the vapor-deposited layer has scratches. The vapor-deposited layer can therefore possess desired properties.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于在基膜上形成气相沉积膜的真空气相沉积装置，从而生成气相沉积膜，以及一种生产气相沉积膜的方法。 在真空蒸镀装置中，同步装置使涂布辊的圆周速度v 1和卷取导向辊的圆周速度v 2相等。 因此，v 1 = v 2。因此，卷绕引导辊不会摩擦设置在膜表面上的气相沉积层。 这消除了气相沉积层具有划痕的可能性。 因此，蒸镀层可以具有期望的特性。

公开(公告)号：US07754015B2

公开(公告)日：2010-07-13

申请号：US11157163

申请日：2005-06-21

申请人： Noboru Sasaki ,  Hiroshi Suzuki ,  Fumitake Koizumi ,  Nobuhiko Imai ,  Kunimasa Arai ,  Hiroyuki Konagai

发明人： Noboru Sasaki ,  Hiroshi Suzuki ,  Fumitake Koizumi ,  Nobuhiko Imai ,  Kunimasa Arai ,  Hiroyuki Konagai

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C14/00

CPC分类号： C23C14/562

摘要： This invention relates to a vacuum vapor-deposition apparatus for forming vapor-deposited films on a base film, thereby to produce vapor-deposited films, and also to a method of producing vapor-deposited films. In the vacuum vapor-deposition apparatus, the synchronizing means equalizes the circumference velocity v1 of the coating roll and the circumference velocity v2 of the takeup guide roll. Hence, v1=v2. Therefore, the takeup guide roll never rubs the vapor-deposited layer provided on the surface of the film. This eliminates the possibility that the vapor-deposited layer has scratches. The vapor-deposited layer can therefore possess desired properties.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于在基膜上形成气相沉积膜的真空气相沉积装置，从而生成气相沉积膜，以及一种生产气相沉积膜的方法。 在真空蒸镀装置中，同步装置使涂布辊的圆周速度v1和卷取导向辊的圆周速度v2相等。 因此，v1 = v2。 因此，卷取导向辊不会摩擦设置在膜表面上的气相沉积层。 这消除了气相沉积层具有划痕的可能性。 因此，蒸镀层可以具有期望的特性。

公开(公告)号：US5378506A

公开(公告)日：1995-01-03

申请号：US58132

申请日：1993-05-10

申请人： Nobuhiko Imai ,  Mamoru Sekiguchi ,  Mitsuru Kano ,  Thomas Krug ,  Gerhard Steiniger ,  Andreas Meier

发明人： Nobuhiko Imai ,  Mamoru Sekiguchi ,  Mitsuru Kano ,  Thomas Krug ,  Gerhard Steiniger ,  Andreas Meier

IPC分类号： C08J7/04 ,  B65D65/42 ,  C23C14/08 ,  C23C14/32 ,  C23C14/56 ,  C23C16/00

CPC分类号： B65D65/42 ,  C23C14/081

摘要： This invention relates to a source material for vapor deposition, which is useful for forming a magnesium oxide thin film by vacuum vapor deposition process, and to a method of forming a transparent barrier film by using the magnesium oxide source material. The source material is composed of a magnesium oxide having a bulk density of 2.5 g/ml or more. This magnesium oxide can be obtained by sintering or fusing magnesium oxide material. For producing a transparent barrier film having a gas barrier property, this magnesium oxide is vapor-deposited on a surface of a transparent plastic base film by means of vacuum vapor deposition. The volume shrinkage or cracking of the evaporation source material can be avoided, thereby stabilizing the evaporation and prolonging duration of the evaporation. Further, it is possible to utilize a high power of electron beam. Since the evaporation source material is substantially free from pore, the evacuation of gas from the evaporation apparatus can be finished within a short period of time, and the vacuum degree within the evaporation apparatus can be stabilized. Since there is no splash or scattering during the evaporation., a transparent barrier film which is uniform in thickness and free from pinhole can be obtained.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于气相沉积的源材料，其用于通过真空气相沉积法形成氧化镁薄膜，以及通过使用氧化镁源材料形成透明阻挡膜的方法。 源材料由堆积密度为2.5g / ml以上的氧化镁构成。 该氧化镁可以通过烧结或熔融氧化镁材料得到。 为了制造具有阻气性的透明阻挡膜，通过真空气相沉积将该氧化镁气相沉积在透明塑料基膜的表面上。 可以避免蒸发源材料的体积收缩或破裂，从而稳定蒸发并延长​​蒸发的持续时间。 此外，可以利用大功率的电子束。 由于蒸发源材料基本上没有孔，所以可以在短时间内完成从蒸发装置排出的气体，并且可以使蒸发装置内的真空度稳定。 由于在蒸发期间没有飞溅或散射，可以获得厚度均匀且无针孔的透明阻挡膜。