公开(公告)号：US09006851B2

公开(公告)日：2015-04-14

申请号：US13198458

申请日：2011-08-04

申请人： Christophe Regnier ,  Olivier Hinsinger ,  Daniel Gloria ,  Pascal Urard

发明人： Christophe Regnier ,  Olivier Hinsinger ,  Daniel Gloria ,  Pascal Urard

IPC分类号： H01L31/0203 ,  H01L25/16 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0652 ,  H01L31/02245 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15192 ,  Y02E10/50 ,  H01L2224/81

摘要： A stand-alone device comprising a silicon wafer having its front surface including a first layer of a first conductivity type and a second layer of a second conductivity type forming a photovoltaic cell; first vias crossing the wafer from the rear surface of the first layer and second vias crossing the wafer from the rear surface of the second layer; metallization levels on the rear surface of the wafer, the external level of these metallization levels defining contact pads; an antenna formed in one of the metallization levels; and one or several chips assembled on said pads; the metallization levels being shaped to provide selected interconnects between the different elements of the device.

摘要翻译： 一种独立装置，包括具有其前表面的硅晶片，该硅晶片包括形成光伏电池的第一导电类型的第一层和第二导电类型的第二层; 从第一层的后表面穿过晶片的第一通孔和从第二层的后表面穿过晶片的第二过孔; 在晶片的后表面上的金属化水平，这些金属化水平的外部水平限定接触垫; 形成在金属化层之一中的天线; 以及组装在所述垫上的一个或多个芯片; 金属化水平被成形为在装置的不同元件之间提供选定的互连。

公开(公告)号：US20120032291A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13198458

申请日：2011-08-04

申请人： Christophe Regnier ,  Olivier Hinsinger ,  Daniel Gloria ,  Pascal Urard

发明人： Christophe Regnier ,  Olivier Hinsinger ,  Daniel Gloria ,  Pascal Urard

IPC分类号： H01L25/16

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0652 ,  H01L31/02245 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15192 ,  Y02E10/50 ,  H01L2224/81

摘要： A stand-alone device comprising a silicon wafer having its front surface including a first layer of a first conductivity type and a second layer of a second conductivity type forming a photovoltaic cell; first vias crossing the wafer from the rear surface of the first layer and second vias crossing the wafer from the rear surface of the second layer; metallization levels on the rear surface of the wafer, the external level of these metallization levels defining contact pads; an antenna formed in one of the metallization levels; and one or several chips assembled on said pads; the metallization levels being shaped to provide selected interconnects between the different elements of the device.

摘要翻译： 一种独立装置，包括具有其前表面的硅晶片，该硅晶片包括形成光伏电池的第一导电类型的第一层和第二导电类型的第二层; 从第一层的后表面穿过晶片的第一通孔和从第二层的后表面穿过晶片的第二过孔; 在晶片的后表面上的金属化水平，这些金属化水平的外部水平限定接触垫; 形成在金属化层之一中的天线; 以及组装在所述垫上的一个或多个芯片; 金属化水平被成形为在装置的不同元件之间提供选定的互连。