公开(公告)号：US4562361A

公开(公告)日：1985-12-31

申请号：US483000

申请日：1983-03-30

申请人： Masayuki Hattori ,  Shigeo Nakamura ,  Osamu Yairo

发明人： Masayuki Hattori ,  Shigeo Nakamura ,  Osamu Yairo

IPC分类号： H03K17/04 ,  H02M1/08 ,  H02M3/155 ,  H03K17/0412 ,  H03K17/60 ,  H03K3/01 ,  H03K3/26

CPC分类号： H03K17/04126 ,  H02M1/08 ,  H02M3/155 ,  H03K17/601

摘要： A power switching transistor drive circuit including a preamplifier (PAP), a base circuit (BSC) for driving a power switching transistor (QL), and a pulse transformer (PT) for electromagnetically coupling the preamplifier (PAP) and the base circuit (BSC). The power switching transistor (QL), which is connected to the output of the vbase circuit (BSC), being on/off controlled based on an input signal applied to the preamplifier (PAP). The preamplifier (PAP) is provided with a low impedance circuit connected in series with the primary coil of the pulse transformer (PT) and forming a closed circuit with the primary coil in response to a flyback voltage generated in the secondary coil of the pulse transformer (PT).

摘要翻译： PCT No.PCT / JP82 / 00308 Sec。 371日期1983年3月30日 102（e）1983年3月30日PCT申请1982年8月7日PCT公布。 第WO83 / 00591号公报 日期：1983年2月17日。一种功率开关晶体管驱动电路，包括前置放大器（PAP），用于驱动功率开关晶体管（QL）的基极电路（BSC）和用于电磁耦合前置放大器（PAP）的脉冲变压器 ）和基本电路（BSC）。 基于施加到前置放大器（PAP）的输入信号，连接到基座电路（BSC）的输出的功率开关晶体管（QL）被开/关控制。 前置放大器（PAP）设置有与脉冲变压器（PT）的初级线圈串联连接的低阻抗电路，并且响应于脉冲变压器的次级线圈中产生的回扫电压而与初级线圈形成闭合电路 （PT）。

公开(公告)号：US4967101A

公开(公告)日：1990-10-30

申请号：US224882

申请日：1988-07-11

申请人： Shigeo Nakamura ,  Osamu Yairo

发明人： Shigeo Nakamura ,  Osamu Yairo

IPC分类号： H03K17/695 ,  H03K17/0412 ,  H03K17/687 ,  H03K17/691

CPC分类号： H03K17/691 ,  H03K17/04123

摘要： A pre-drive circuit for controlling turn-on/turn-off of a MOS-type field-effect transistor via a pulse transformer has an element provided between the secondary side of the pulse transformer and the MOS-type field-effect transistor for electrically isolating the pulse transfomer from the MOS-type field-effect transistor when the gate-drain voltage of the MOS-type field-effect transistor becomes negative to a certain degree. Thus, the arrangement is such that the gate-drain voltage of the MOS-type field-effect transistor will not become excessively negative.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP88 / 00081 Sec。 371日期：1988年7月11日 102（e）日期1988年7月11日PCT提交1988年1月29日PCT公布。 出版物WO88 / 05978 日期：1988年8月11日。用于通过脉冲变压器控制MOS型场效应晶体管的导通/截止的预驱动电路具有设置在脉冲变压器的次级侧和MOS- 当MOS型场效应晶体管的栅极 - 漏极电压在一定程度上变为负极时，将MOS脉冲变压器与MOS型场效应晶体管电隔离。 因此，这种布置使得MOS型场效应晶体管的栅 - 漏电压不会变得过大。

公开(公告)号：US20070012555A1

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：US11446199

申请日：2006-06-05

申请人： Hiroshi Fuchigami ,  Osamu Yairo

发明人： Hiroshi Fuchigami ,  Osamu Yairo

IPC分类号： H01H1/10

CPC分类号： H05K1/144 ,  H01H13/703 ,  H01H2221/004 ,  H01H2229/028 ,  H01H2229/056 ,  H05K1/0393 ,  H05K2201/09109 ,  H05K2201/09909 ,  H05K2201/2036

摘要： A membrane switch is formed by laminating a pair of flexible printed circuit (FPC) boards with two types of resist between them. An oil-resistant thermally adhesive resist is used in the peripheral area between the laminated FPC boards, and a resist that is not thermally adhesive is used in the central area. The thickness of these resists forms a spacer between the FPC boards

摘要翻译： 薄膜开关通过层叠一对柔性印刷电路板（FPC）与它们之间的两种抗蚀剂形成。 在层叠的FPC基板之间的周边区域中使用耐油热粘合剂，在中心区域使用不具有热粘合性的抗蚀剂。 这些抗蚀剂的厚度在FPC基板之间形成间隔物