公开(公告)号：US06129957A

公开(公告)日：2000-10-10

申请号：US415247

申请日：1999-10-12

申请人： Rongfu Xiao ,  Chyu-Jiuh Torng ,  Tai Min ,  Hui-Chuan Wang ,  Cherng-Chyi Han ,  Mao-Min Chen ,  Po-Kang Wan

发明人： Rongfu Xiao ,  Chyu-Jiuh Torng ,  Tai Min ,  Hui-Chuan Wang ,  Cherng-Chyi Han ,  Mao-Min Chen ,  Po-Kang Wan

IPC分类号： G01R33/09 ,  G11B5/31 ,  G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01F41/22 ,  H01F41/30 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  B29C35/08 ,  H01F1/00

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3903 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/304 ,  G11B2005/3996 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3954 ,  H01F10/3286 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/1129

摘要： A method of manufacturing a magnetoresistive head comprises forming a magnetoresistive structure with a magnetoresistive element with a first AFM element. Perform a first annealing step at a high temperature with a high magnetic field. Form the remaining MR structure including second AFM elements. Perform a low magnetic field (H.sub.ann) annealing step following the fabrication of the second AFM elements. Then perform a no externally applied field (H.sub.ann =0) annealing step at a high temperature to increase the H.sub.ex of the second AFM element to full strength, whereby the stability of the first AFM element is enhanced or increases its H.sub.ex if there were a decrease during the low magnetic field annealing step.

摘要翻译： 制造磁阻头的方法包括用具有第一AFM元件的磁阻元件形成磁阻结构。 在高磁场下进行第一退火步骤。 形成剩下的MR结构，包括第二个AFM元素。 在制造第二AFM元件之后执行低磁场（汉斯）退火步骤。 然后在高温下进行无外部施加的场（Hann = 0）退火步骤，以将第二AFM元件的Hex增加到全强度，由此如果存在减少，则第一AFM元件的稳定性增强或增加其Hex 在低磁场退火步骤期间。