公开(公告)号：USRE45468E1

公开(公告)日：2015-04-14

申请号：US11494754

申请日：2006-07-27

申请人： Yi-Chen Chen ,  Ching-Ming Tsai ,  Ray-Ting Chang

发明人： Yi-Chen Chen ,  Ching-Ming Tsai ,  Ray-Ting Chang

IPC分类号： B24B1/00 ,  B24D13/14

CPC分类号： B24D13/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

摘要： A method of polishing a metal layer comprising the following steps. A structure having an upper patterned dielectric layer with an opening therein is provided. A barrier layer is formed over the patterned upper dielectric layer and lining the opening. A metal layer is formed over the barrier layer, filling the opening. A first polish step employing a first slurry composition is conducted to remove a portion of the overlying metal layer. A second polish step employing the first slurry composition is conducted to: polish the partially removed overlying metal layer; and to expose portions of the barrier layer overlying the patterned upper dielectric layer. A third polish step employing a second slurry composition is conducted to remove the exposed barrier layer portions and exposing underlying portions of the patterned upper dielectric layer. A fourth polish step employing the second slurry composition and BTA is conducted to buff the exposed upper dielectric layer portions.

摘要翻译： 一种抛光金属层的方法，包括以下步骤。 提供具有其中具有开口的上部图案化电介质层的结构。 阻挡层形成在图案化的上电介质层上并衬在开口上。 在阻挡层上形成金属层，填充开口。 进行采用第一浆料组合物的第一抛光步骤以去除一部分上覆的金属层。 进行使用第一浆料组合物的第二抛光步骤：抛光部分去除的上覆金属层; 并且暴露覆盖图案化的上介电层的阻挡层的部分。 进行使用第二浆料组合物的第三抛光步骤以去除暴露的阻挡层部分并暴露图案化的上介电层的下面部分。 进行使用第二浆料组合物和BTA的第四抛光步骤以抛光暴露的上介电层部分。

公开(公告)号：US06830504B1

公开(公告)日：2004-12-14

申请号：US10627795

申请日：2003-07-25

申请人： Yi-Chen Chen ,  Ching-Ming Tsai ,  Ray-Ting Chang

发明人： Yi-Chen Chen ,  Ching-Ming Tsai ,  Ray-Ting Chang

IPC分类号： B24B100

CPC分类号： B24D13/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

摘要： A method of polishing a metal layer comprising the following steps. A structure having an upper patterned dielectric layer with an opening therein is provided. A barrier layer is formed over the patterned upper dielectric layer and lining the opening. A metal layer is formed over the barrier layer, filling the opening. A first polish step employing a first slurry composition is conducted to remove a portion of the overlying metal layer. A second polish step employing the first slurry composition is conducted to: polish the partially removed overlying metal layer; and to expose portions of the barrier layer overlying the patterned upper dielectric layer. A third polish step employing a second slurry composition is conducted to remove the exposed barrier layer portions and exposing underlying portions of the patterned upper dielectric layer. A fourth polish step employing the second slurry composition and BTA is conducted to buff the exposed upper dielectric layer portions.

摘要翻译： 一种抛光金属层的方法，包括以下步骤。 提供具有其中具有开口的上部图案化电介质层的结构。 阻挡层形成在图案化的上电介质层上并衬在开口上。 在阻挡层上形成金属层，填充开口。 进行采用第一浆料组合物的第一抛光步骤以去除一部分上覆的金属层。 进行使用第一浆料组合物的第二抛光步骤：抛光部分去除的上覆金属层; 并且暴露覆盖图案化的上介电层的阻挡层的部分。 进行使用第二浆料组合物的第三抛光步骤以去除暴露的阻挡层部分并暴露图案化的上介电层的下面部分。 进行使用第二浆料组合物和BTA的第四抛光步骤以抛光暴露的上介电层部分。

公开(公告)号：US20050112895A1

公开(公告)日：2005-05-26

申请号：US10975863

申请日：2004-10-28

申请人： Yi-Chen Chen ,  Ching-Ming Tsai ,  Ray-Ting Chang

发明人： Yi-Chen Chen ,  Ching-Ming Tsai ,  Ray-Ting Chang

IPC分类号： B24B1/00 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/321 ,  H01L21/461 ,  H01L21/768

CPC分类号： B24D13/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

摘要： A method of polishing a metal layer comprising the following steps. A structure having an upper patterned dielectric layer with an opening therein is provided. A barrier layer is formed over the patterned upper dielectric layer and lining the opening. A metal layer is formed over the barrier layer, filling the opening. A first polish step employing a first slurry composition is conducted to remove a portion of the overlying metal layer. A second polish step employing the first slurry composition is conducted to: polish the partially removed overlying metal layer; and to expose portions of the barrier layer overlying the patterned upper dielectric layer. A third polish step employing a second slurry composition is conducted to remove the exposed barrier layer portions and exposing underlying portions of the patterned upper dielectric layer. A fourth polish step employing the second slurry composition and BTA is conducted to buff the exposed upper dielectric layer portions.

摘要翻译： 一种抛光金属层的方法，包括以下步骤。 提供具有其中具有开口的上部图案化电介质层的结构。 阻挡层形成在图案化的上电介质层上并衬在开口上。 在阻挡层上形成金属层，填充开口。 进行采用第一浆料组合物的第一抛光步骤以去除一部分上覆的金属层。 进行使用第一浆料组合物的第二抛光步骤：抛光部分去除的上覆金属层; 并且暴露覆盖图案化的上介电层的阻挡层的部分。 进行使用第二浆料组合物的第三抛光步骤以去除暴露的阻挡层部分并暴露图案化的上介电层的下面部分。 进行使用第二浆料组合物和BTA的第四抛光步骤以抛光暴露的上介电层部分。