公开(公告)号：US09284187B2

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：US13398158

申请日：2012-02-16

申请人： Roel Daamen ,  Robertus Adrianus Maria Wolters ,  Rene Theodora Hubertus Rongen ,  Youri Victorovitch Ponomarev

发明人： Roel Daamen ,  Robertus Adrianus Maria Wolters ,  Rene Theodora Hubertus Rongen ,  Youri Victorovitch Ponomarev

IPC分类号： H01L29/66 ,  B81C1/00

CPC分类号： H01L23/564 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L22/34 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Disclosed is an integrated circuit comprising a substrate (10) carrying a plurality of circuit elements; a metallization stack (12, 14, 16) interconnecting said circuit elements, said metallization stack comprising a patterned upper metallization layer comprising a first metal portion (20); a passivation stack (24, 26, 28) covering the metallization stack; and a sensor including a sensing material (40) on the passivation stack, said sensor being coupled to the first metal portion by a via (34) extending through the passivation stack. A method of manufacturing such an IC is also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种集成电路，其包括承载多个电路元件的基板（10） 互连所述电路元件的金属化堆叠（12,14,16），所述金属化堆叠包括图案化的上金属化层，其包括第一金属部分（20）; 覆盖金属化堆叠的钝化堆叠（24,26,28）; 以及传感器，其包括在所述钝化层上的感测材料（40），所述传感器通过延伸穿过所述钝化层的通孔（34）耦合到所述第一金属部分。 还公开了制造这种IC的方法。

公开(公告)号：US20120211845A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13398158

申请日：2012-02-16

申请人： Roel Daamen ,  Robertus Adrianus Maria Wolters ,  Rene Theodora Hubertus Rongen ,  Youri Victorovitch Ponomarev

发明人： Roel Daamen ,  Robertus Adrianus Maria Wolters ,  Rene Theodora Hubertus Rongen ,  Youri Victorovitch Ponomarev

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/564 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L22/34 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Disclosed is an integrated circuit comprising a substrate (10) carrying a plurality of circuit elements; a metallization stack (12, 14, 16) interconnecting said circuit elements, said metallization stack comprising a patterned upper metallization layer comprising a first metal portion (20); a passivation stack (24, 26, 28) covering the metallization stack; and a sensor including a sensing material (40) on the passivation stack, said sensor being coupled to the first metal portion by a via (34) extending through the passivation stack. A method of manufacturing such an IC is also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种集成电路，其包括承载多个电路元件的基板（10） 互连所述电路元件的金属化堆叠（12,14,16），所述金属化堆叠包括图案化的上金属化层，其包括第一金属部分（20）; 覆盖金属化堆叠的钝化堆叠（24,26,28）; 以及传感器，其包括在所述钝化层上的感测材料（40），所述传感器通过延伸穿过所述钝化层的通孔（34）耦合到所述第一金属部分。 还公开了制造这种IC的方法。