公开(公告)号：US08592102B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US12650985

申请日：2009-12-31

申请人： Chin-Hsiang Lin ,  Heng-Jen Lee ,  I-Hsiung Huang ,  Chih-Chiang Tu ,  Chun-Jen Chen ,  Rick Lai

发明人： Chin-Hsiang Lin ,  Heng-Jen Lee ,  I-Hsiung Huang ,  Chih-Chiang Tu ,  Chun-Jen Chen ,  Rick Lai

IPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/72 ,  G03F1/84

CPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/72 ,  G03F1/84

摘要： The present disclosure provides for many different embodiments. An exemplary method can include providing a blank mask and a design layout to be patterned on the blank mask, the design layout including a critical area; inspecting the blank mask for defects and generating a defect distribution map associated with the blank mask; mapping the defect distribution map to the design layout; performing a mask making process; and performing a mask defect repair process based on the mapping.

摘要翻译： 本公开提供了许多不同的实施例。 示例性方法可以包括提供空白掩模和要在空白掩模上图案化的设计布局，所述设计布局包括临界区域; 检查空白掩模的缺陷并产生与空白掩模相关联的缺陷分布图; 将缺陷分布图映射到设计布局; 进行面膜制作过程; 以及基于所述映射执行掩模缺陷修复处理。

公开(公告)号：US20120051621A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US12868483

申请日：2010-08-25

申请人： Biow-Hiem Ong ,  Rick Lai ,  Chih-Chiang Tu ,  Chia-Shih Lin ,  Jong-Yuh Chang

发明人： Biow-Hiem Ong ,  Rick Lai ,  Chih-Chiang Tu ,  Chia-Shih Lin ,  Jong-Yuh Chang

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： G03F1/84 ,  G06T7/001 ,  G06T2207/30148

摘要： The present disclosure provides a method of inspecting a photolithographic mask wherein a design database is received, and a feature of the design database is adjusted by a bias factor to produce a biased database. Image rendering is performed on the biased database to produce a biased image. A mask is also created using the design database, and the mask is imaged to produce a mask image. The biased image is compared to the mask image, and a new value for the bias factor may be determined based on the comparison.

摘要翻译： 本公开提供了一种检查其中接收到设计数据库的光刻掩模的方法，并且通过偏置因子来调整设计数据库的特征以产生偏置的数据库。 在偏置数据库上执行图像渲染以产生偏置图像。 还使用设计数据库创建掩模，并对掩模进行成像以产生掩模图像。 将偏置图像与掩模图像进行比较，并且可以基于比较来确定偏置因子的新值。

公开(公告)号：US20110161893A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12976646

申请日：2010-12-22

申请人： CHIN-HSIANG LIN ,  Heng-Jen Lee ,  I-Hsiung Huang ,  Chih-Chiang Tu ,  Chun-Jen Chen ,  Rick Lai

发明人： CHIN-HSIANG LIN ,  Heng-Jen Lee ,  I-Hsiung Huang ,  Chih-Chiang Tu ,  Chun-Jen Chen ,  Rick Lai

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/72 ,  G03F1/86

摘要： The present disclosure provides for many different embodiments. An exemplary method can include providing a mask fabricated according to a design pattern; extracting a mask pattern from the mask; converting the mask pattern into a rendered mask pattern, wherein the simulated design pattern includes the design pattern and any defects in the mask; simulating a lithography process using the rendered mask pattern to create a virtual wafer pattern; and determining whether any defects in the mask are critical based on the virtual wafer pattern. The critical defects in the mask can be repaired.

摘要翻译： 本公开提供了许多不同的实施例。 示例性方法可以包括提供根据设计图案制造的掩模; 从掩模中提取掩模图案; 将掩模图案转换成渲染的掩模图案，其中模拟设计图案包括设计图案和掩模中的任何缺陷; 使用所渲染的掩模图案来模拟光刻工艺以产生虚拟晶片图案; 以及基于所述虚拟晶片图案确定所述掩模中的任何缺陷是否是关键的。 面罩中的关键缺陷可以修复。

公开(公告)号：US09671685B2

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：US12976646

申请日：2010-12-22

申请人： Chin-Hsiang Lin ,  Heng-Jen Lee ,  I-Hsiung Huang ,  Chih-Chiang Tu ,  Chun-Jen Chen ,  Rick Lai

发明人： Chin-Hsiang Lin ,  Heng-Jen Lee ,  I-Hsiung Huang ,  Chih-Chiang Tu ,  Chun-Jen Chen ,  Rick Lai

IPC分类号： G06F17/50 ,  G03F1/72 ,  G03F1/86

CPC分类号： G03F1/72 ,  G03F1/86

摘要： The present disclosure provides for many different embodiments. An exemplary method can include providing a mask fabricated according to a design pattern; extracting a mask pattern from the mask; converting the mask pattern into a rendered mask pattern, wherein the simulated design pattern includes the design pattern and any defects in the mask; simulating a lithography process using the rendered mask pattern to create a virtual wafer pattern; and determining whether any defects in the mask are critical based on the virtual wafer pattern. The critical defects in the mask can be repaired.

公开(公告)号：US08818072B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US12868483

申请日：2010-08-25

申请人： Biow-Hiem Ong ,  Rick Lai ,  Chih-Chiang Tu ,  Chia-Shih Lin ,  Jong-Yuh Chang

发明人： Biow-Hiem Ong ,  Rick Lai ,  Chih-Chiang Tu ,  Chia-Shih Lin ,  Jong-Yuh Chang

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： G03F1/84 ,  G06T7/001 ,  G06T2207/30148

摘要： The present disclosure provides a method of inspecting a photolithographic mask wherein a design database is received, and a feature of the design database is adjusted by a bias factor to produce a biased database. Image rendering is performed on the biased database to produce a biased image. A mask is also created using the design database, and the mask is imaged to produce a mask image. The biased image is compared to the mask image, and a new value for the bias factor may be determined based on the comparison.

摘要翻译： 本公开提供了一种检查其中接收到设计数据库的光刻掩模的方法，并且通过偏置因子来调整设计数据库的特征以产生偏置的数据库。 在偏置数据库上执行图像渲染以产生偏置图像。 还使用设计数据库创建掩模，并对掩模进行成像以产生掩模图像。 将偏置图像与掩模图像进行比较，并且可以基于比较来确定偏置因子的新值。

公开(公告)号：US20110159410A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12650985

申请日：2009-12-31

申请人： Chin-Hsiang Lin ,  Heng-Jen Lee ,  I-Hsiung Huang ,  Chih-Chiang Tu ,  Chun-Jen Chen ,  Rick Lai

发明人： Chin-Hsiang Lin ,  Heng-Jen Lee ,  I-Hsiung Huang ,  Chih-Chiang Tu ,  Chun-Jen Chen ,  Rick Lai

IPC分类号： G03F1/00 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/72 ,  G03F1/84

摘要： The present disclosure provides for many different embodiments. An exemplary method can include providing a blank mask and a design layout to be patterned on the blank mask, the design layout including a critical area; inspecting the blank mask for defects and generating a defect distribution map associated with the blank mask; mapping the defect distribution map to the design layout; performing a mask making process; and performing a mask defect repair process based on the mapping.

摘要翻译： 本公开提供了许多不同的实施例。 示例性方法可以包括提供空白掩模和要在空白掩模上图案化的设计布局，所述设计布局包括临界区域; 检查空白掩模的缺陷并产生与空白掩模相关联的缺陷分布图; 将缺陷分布图映射到设计布局; 进行面膜制作过程; 以及基于所述映射执行掩模缺陷修复处理。