公开(公告)号：US06176198B1

公开(公告)日：2001-01-23

申请号：US09184934

申请日：1998-11-02

申请人： Yeh-Jen Kao ,  Fong M. Chang ,  Robert B. Majewski ,  John Parks ,  David Wanamaker ,  Yen-Kun Wang

发明人： Yeh-Jen Kao ,  Fong M. Chang ,  Robert B. Majewski ,  John Parks ,  David Wanamaker ,  Yen-Kun Wang

IPC分类号： C23C1600

CPC分类号： H01J37/32458 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32192

摘要： The invention provides a deposition system and methods of depositing materials onto substrates. In one aspect, a modular processing chamber is provided which includes a chamber body defining a processing region. The chamber body includes a removable gas feedthrough, an electrical feedthrough, a gas distribution assembly mounted on a chamber lid and a microwave applicator for generating reactive gases remote from the processing region.

摘要翻译： 本发明提供一种沉积系统和将材料沉积到基底上的方法。 在一个方面，提供了一种模块化处理室，其包括限定加工区域的室主体。 室主体包括可拆卸的气体馈通，电馈通，安装在室盖上的气体分配组件和用于产生远离处理区域的反应气体的微波施加器。

公开(公告)号：US06418874B1

公开(公告)日：2002-07-16

申请号：US09584167

申请日：2000-05-25

申请人： Michael S. Cox ,  Canfeng Lai ,  Robert B. Majewski ,  David P. Wanamaker ,  Christopher T. Lane ,  Peter Loewenhardt ,  Shamouil Shamouilian ,  John P. Parks

发明人： Michael S. Cox ,  Canfeng Lai ,  Robert B. Majewski ,  David P. Wanamaker ,  Christopher T. Lane ,  Peter Loewenhardt ,  Shamouil Shamouilian ,  John P. Parks

IPC分类号： C23C1600

CPC分类号： H01J37/32009 ,  H01J37/321

摘要： A toroidal plasma source (28) within a substrate processing chamber (10). The toroidal plasma source forms a poloidal plasma with theta symmetry. The poloidal plasma current is essentially parallel to a surface of the plasma generating structure, thus reducing sputtering erosion of the inner walls. The plasma current is similarly essentially parallel to a process surface (32) of a substrate (34) within the chamber. In a further embodiment, a shaped member (66) between the substrate and the plasma source controls the plasma density in a selected fashion to enhance plasma processing uniformity.

摘要翻译： 衬底处理室（10）内的环形等离子体源（28）。 环形等离子体源形成具有θ对称性的极向等离子体。 极向等离子体电流基本上平行于等离子体产生结构的表面，从而减少内壁的溅射侵蚀。 等离子体电流类似地基本上平行于腔室内的衬底（34）的工艺表面（32）。 在另一实施例中，衬底和等离子体源之间的成形构件（66）以选定的方式控制等离子体密度，以提高等离子体处理的均匀性。

公开(公告)号：US06712020B2

公开(公告)日：2004-03-30

申请号：US10170827

申请日：2002-06-12

申请人： Michael S. Cox ,  Canfeng Lai ,  Robert B. Majewski ,  David P. Wanamaker ,  Christopher T. Lane ,  Peter Loewenhardt ,  Shamouil Shamouilian ,  John P. Parks

发明人： Michael S. Cox ,  Canfeng Lai ,  Robert B. Majewski ,  David P. Wanamaker ,  Christopher T. Lane ,  Peter Loewenhardt ,  Shamouil Shamouilian ,  John P. Parks

IPC分类号： C23C1600

CPC分类号： H01J37/32009 ,  H01J37/321

摘要： A toroidal plasma source (28) within a substrate processing chamber (10). The toroidal plasma source forms a poloidal plasma with theta symmetry. The poloidal plasma current is essentially parallel to a surface of the plasma generating structure, thus reducing sputtering erosion of the inner walls. The plasma current is similarly essentially parallel to a process surface (32) of a substrate (34) within the chamber. In a further embodiment, a shaped member (66) between the substrate and the plasma source controls the plasma density in a selected fashion to enhance plasma processing uniformity.

摘要翻译： 衬底处理室（10）内的环形等离子体源（28）。 环形等离子体源形成具有θ对称性的极向等离子体。 极向等离子体电流基本上平行于等离子体产生结构的表面，从而减少内壁的溅射侵蚀。 等离子体电流类似地基本上平行于腔室内的衬底（34）的工艺表面（32）。 在另一实施例中，衬底和等离子体源之间的成形构件（66）以选定的方式控制等离子体密度，以提高等离子体处理的均匀性。