公开(公告)号：US20110253997A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US13087363

申请日：2011-04-14

申请人： Sang Hee Park ,  Chi Sun Hwang ,  Chun Won Byun ,  Elvira M.C. Fortunato ,  Rodrigo F.P. Martins ,  Ana R.X. Barros ,  Nuno F.O. Correia ,  Pedro M.C. Barquinha ,  Vitor M.L. Figueiredo

发明人： Sang Hee Park ,  Chi Sun Hwang ,  Chun Won Byun ,  Elvira M.C. Fortunato ,  Rodrigo F.P. Martins ,  Ana R.X. Barros ,  Nuno F.O. Correia ,  Pedro M.C. Barquinha ,  Vitor M.L. Figueiredo

IPC分类号： H01L29/22 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02565 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/087 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/94

摘要： Provided is a semiconductor device using a p-type oxide semiconductor layer and a method of manufacturing the same. The device includes the p-type oxide layer formed of at least one oxide selected from the group consisting of a copper(Cu)-containing copper monoxide, a tin(Sn)-containing tin monoxide, a copper tin oxide containing a Cu—Sn alloy, and a nickel tin oxide containing a Ni—Sn alloy. Thus, transparent or opaque devices are easily developed using the p-type oxide layer. Since an oxide layer that is formed using a low-temperature process is applied to a semiconductor device, the manufacturing process of the semiconductor device is simplified and manufacturing costs may be reduced.

摘要翻译： 提供一种使用p型氧化物半导体层的半导体器件及其制造方法。 该装置包括由至少一种氧化物形成的p型氧化物层，所述氧化物选自由含铜（Cu）的一氧化碳，含锡（Sn）的一氧化锡，含有Cu-Sn的铜锡氧化物 合金和含有Ni-Sn合金的镍锡氧化物。 因此，使用p型氧化物层容易显影透明或不透明的装置。 由于使用低温工艺形成的氧化物层被应用于半导体器件，所以可以简化半导体器件的制造工艺，并且可以降低制造成本。