公开(公告)号：US20070197023A1

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：US11358934

申请日：2006-02-22

申请人： Johnny Widodo ,  Bei Zhang ,  Tong Chen ,  Yong Siew ,  Fan Zhang ,  San Liew ,  John Sudijono ,  Liang Hsia

发明人： Johnny Widodo ,  Bei Zhang ,  Tong Chen ,  Yong Siew ,  Fan Zhang ,  San Liew ,  John Sudijono ,  Liang Hsia

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a barrier layer and cap comprised of CuSiN for an interconnect. We provide an interconnect opening in a dielectric layer over a semiconductor structure. We form a CuSiN barrier layer over the sidewalls and bottom of the interconnect opening by reacting with the first copper layer. We then form an interconnect over the CuSiN layer filling the interconnect opening. We can form a CuSiN cap layer on the top surface of the interconnect.

摘要翻译： 形成用于互连的CuSiN构成的阻挡层和盖的方法。 我们在半导体结构上的电介质层中提供互连开口。 通过与第一铜层反应，在互连开口的侧壁和底部上形成CuSiN阻挡层。 然后，我们在填充互连开口的CuSiN层上形成互连。 我们可以在互连的顶部表面上形成CuSiN覆盖层。