公开(公告)号：US20080052565A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：US11834426

申请日：2007-08-06

申请人： Satoru OKU

发明人： Satoru OKU

IPC分类号： G11C29/00 ,  G11C7/10

CPC分类号： G11C7/1006 ,  G06F11/1004 ,  G11C7/04 ,  G11C7/1045 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/106 ,  G11C2029/0411

摘要： A data read-out circuit is provided with a sense amplifier circuit and a selector. The sense amplifier circuit senses a stored data stored in a memory cell array by using a plurality of reference levels to generate a plurality of read data, respectively. Thus, the sense amplifier circuit outputs the plurality of read data with regard to the stored data. The selector selects a data corresponding to any one of the plurality of read data based on a control signal and outputs the selected data as an output data.

摘要翻译： 数据读出电路设置有读出放大器电路和选择器。 感测放大器电路通过使用多个参考电平分别感测存储在存储单元阵列中的存储数据，以生成多个读取数据。 因此，读出放大器电路就存储的数据输出多个读取数据。 选择器基于控制信号选择与多个读取数据中的任何一个对应的数据，并输出所选择的数据作为输出数据。

公开(公告)号：US20110255340A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US13067728

申请日：2011-06-22

申请人： Satoru Oku

发明人： Satoru Oku

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C5/145 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028

摘要： A nonvolatile semiconductor memory, includes a nonvolatile memory array, a voltage generator circuit that generates a drive voltage which changes depending on a supply voltage and a code, a control circuit that applies the generated drive voltage to the nonvolatile memory array, and a code output circuit that outputs any one of a plurality of codes to the voltage generator circuit, wherein the plurality of codes includes a first code and a second code, wherein the second code is different from the first code, wherein, in a first state, the code output circuit outputs the first code to the voltage generator circuit, and the voltage generator circuit generates the drive voltage according to the first code, and wherein, in a second state, the code output circuit outputs the second code to the voltage generator circuit, and the voltage generator circuit generates the drive voltage according to the second code.

摘要翻译： 非易失性半导体存储器包括非易失性存储器阵列，产生根据电源电压和代码而变化的驱动电压的电压发生器电路，将产生的驱动电压施加到非易失性存储器阵列的控制电路，以及代码输出 将多个代码中的任何一个代码输出到电压发生器电路，其中多个代码包括第一代码和第二代码，其中第二代码与第一代码不同，其中，在第一状态下，代码 输出电路将第一代码输出到电压发生器电路，并且电压发生器电路根据第一代码产生驱动电压，并且其中在第二状态下，代码输出电路将第二代码输出到电压发生器电路，以及 电压发生器电路根据第二代码产生驱动电压。

公开(公告)号：US20100142289A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12591878

申请日：2009-12-03

申请人： Satoru Oku

发明人： Satoru Oku

IPC分类号： G11C29/00 ,  G11C5/14

CPC分类号： G11C5/145 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028

摘要： A nonvolatile semiconductor memory includes a nonvolatile memory array, a voltage generator circuit that generates a drive voltage which changes depending on a supply voltage and a trimming code, a control circuit that applies the generated drive voltage to the nonvolatile memory array, and a trimming code output circuit that outputs any one of plural trimming codes to the voltage generator circuit. The plural trimming codes include a test trimming code in addition to an appropriate trimming code for generating a desired drive voltage. The test trimming code is different from the appropriate trimming code, and used only in the test state. In the test state, the trimming code output circuit outputs the test trimming code to the voltage generator circuit, and the voltage generator circuit generates the drive voltage according to the test trimming code. In states other than the test state, the trimming code output circuit outputs the appropriate trimming code to the voltage generator circuit, and the voltage generator circuit generates the drive voltage according to the appropriate trimming code.

摘要翻译： 非易失性半导体存储器包括非易失性存储器阵列，产生根据电源电压和修整代码而变化的驱动电压的电压发生器电路，将产生的驱动电压施加到非易失性存储器阵列的控制电路和修整代码 输出电路，其将多个调整代码中的任一个输出到电压发生器电路。 多个修整代码除了用于产生期望的驱动电压的适当的修整代码之外还包括测试修整代码。 测试修剪代码与适当的修剪代码不同，仅在测试状态下使用。 在测试状态下，修整代码输出电路将测试修整代码输出到电压发生器电路，并且电压发生器电路根据测试修正代码产生驱动电压。 在除了测试状态之外的状态下，修整代码输出电路向电压发生器电路输出适当的修整代码，并且电压发生器电路根据适当的修整代码产生驱动电压。

公开(公告)号：US20070041261A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US11493535

申请日：2006-07-27

申请人： Satoru Oku

发明人： Satoru Oku

IPC分类号： G11C5/14

CPC分类号： G11C5/147

摘要： A power-source potential control circuit has: an output terminal outputting a control signal to a power-source generating device which generates a power-source potential in accordance with the control signal; an input terminal connected to an output of the power-source generating device; and a control unit configured to make a comparison between a trimming potential depending on a first potential at the input terminal and a predetermined reference potential and to output the control signal corresponding to a result of the comparison. In a trimming operation mode, the control unit changes the trimming potential in accordance with the result of the comparison.

摘要翻译： 电源电位控制电路具有：输出端子，其根据控制信号向电源产生装置输出产生电源电位的控制信号; 连接到电源产生装置的输出端的输入端子; 以及控制单元，被配置为根据输入端子处的第一电位和预定参考电位进行微调电位之间的比较，并输出与比较结果相对应的控制信号。 在修整操作模式中，控制单元根据比较结果改变修整电位。

公开(公告)号：US06084387A

公开(公告)日：2000-07-04

申请号：US243550

申请日：1999-02-03

申请人： Masaki Kaneko ,  Hiroyuki Kobatake ,  Masakazu Amanai ,  Kazuaki Kato ,  Satoru Oku

发明人： Masaki Kaneko ,  Hiroyuki Kobatake ,  Masakazu Amanai ,  Kazuaki Kato ,  Satoru Oku

IPC分类号： G11C16/06 ,  G05F1/56 ,  G11C16/30 ,  H02M3/07 ,  G05F1/40

CPC分类号： H02M3/073 ,  G11C16/30

摘要： A power source circuit for a flash memory includes a positive circuit section for generating a positive voltage source, a source follower transistor for converting the impedance of the first voltage source, a negative circuit section for generating a negative voltage source while maintaining a voltage difference between the output of the source follower transistor and the negative voltage source at a first reference potential. The positive circuit section includes a voltage compensating transistor having a threshold voltage equal to the threshold of the source follower transistor.

摘要翻译： 用于闪速存储器的电源电路包括用于产生正电压源的正电路部分，用于转换第一电压源的阻抗的源极跟随器晶体管，用于产生负电压源的负电路部分，同时保持负电压源之间的电压差 源极跟随器晶体管和负电压源的输出处于第一参考电位。 正电路部分包括具有等于源极跟随器晶体管的阈值的阈值电压的电压补偿晶体管。

公开(公告)号：US08091008B2

公开(公告)日：2012-01-03

申请号：US11834426

申请日：2007-08-06

申请人： Satoru Oku

发明人： Satoru Oku

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G11C7/1006 ,  G06F11/1004 ,  G11C7/04 ,  G11C7/1045 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/106 ,  G11C2029/0411

摘要： A data read-out circuit is provided with a sense amplifier circuit and a selector. The sense amplifier circuit senses a stored data stored in a memory cell array by using a plurality of reference levels to generate a plurality of read data, respectively. Thus, the sense amplifier circuit outputs the plurality of read data with regard to the stored data. The selector selects a data corresponding to any one of the plurality of read data based on a control signal and outputs the selected data as an output data.

公开(公告)号：US07990778B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12591878

申请日：2009-12-03

申请人： Satoru Oku

发明人： Satoru Oku

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： G11C5/145 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028

摘要： A nonvolatile semiconductor memory includes a nonvolatile memory array, a voltage generator circuit that generates a drive voltage which changes depending on a supply voltage and a trimming code, a control circuit that applies the generated drive voltage to the nonvolatile memory array, and a trimming code output circuit that outputs any one of plural trimming codes to the voltage generator circuit. The plural trimming codes include a test trimming code in addition to an appropriate trimming code for generating a desired drive voltage. The test trimming code is different from the appropriate trimming code, and used only in the test state. In the test state, the trimming code output circuit outputs the test trimming code to the voltage generator circuit, and the voltage generator circuit generates the drive voltage according to the test trimming code. In states other than the test state, the trimming code output circuit outputs the appropriate trimming code to the voltage generator circuit, and the voltage generator circuit generates the drive voltage according to the appropriate trimming code.

摘要翻译： 非易失性半导体存储器包括非易失性存储器阵列，产生根据电源电压和修整代码而变化的驱动电压的电压发生器电路，将产生的驱动电压施加到非易失性存储器阵列的控制电路和修整代码 输出电路，其将多个调整代码中的任一个输出到电压发生器电路。 多个修整代码除了用于产生期望的驱动电压的适当的修整代码之外还包括测试修整代码。 测试修剪代码与适当的修剪代码不同，仅在测试状态下使用。 在测试状态下，修整代码输出电路将测试修整代码输出到电压发生器电路，并且电压发生器电路根据测试修正代码产生驱动电压。 在除了测试状态之外的状态下，修整代码输出电路向电压发生器电路输出适当的修整代码，并且电压发生器电路根据适当的修整代码产生驱动电压。

公开(公告)号：US07579903B2

公开(公告)日：2009-08-25

申请号：US11493535

申请日：2006-07-27

申请人： Satoru Oku

发明人： Satoru Oku

IPC分类号： H03K3/01

CPC分类号： G11C5/147

摘要： A power-source potential control circuit has: an output terminal outputting a control signal to a power-source generating device which generates a power-source potential in accordance with the control signal; an input terminal connected to an output of the power-source generating device; and a control unit configured to make a comparison between a trimming potential depending on a first potential at the input terminal and a predetermined reference potential and to output the control signal corresponding to a result of the comparison. In a trimming operation mode, the control unit changes the trimming potential in accordance with the result of the comparison.

摘要翻译： 电源电位控制电路具有：输出端子，其根据控制信号向电源产生装置输出产生电源电位的控制信号; 连接到电源产生装置的输出端的输入端子; 以及控制单元，被配置为根据输入端子处的第一电位和预定参考电位进行微调电位之间的比较，并输出与比较结果相对应的控制信号。 在修整操作模式中，控制单元根据比较结果改变修整电位。

公开(公告)号：US08307262B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US13306229

申请日：2011-11-29

申请人： Satoru Oku

发明人： Satoru Oku

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G11C7/1006 ,  G06F11/1004 ,  G11C7/04 ,  G11C7/1045 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/106 ,  G11C2029/0411

摘要： A data read-out circuit is provided with a sense amplifier circuit and a selector. The sense amplifier circuit senses a stored data stored in a memory cell array by using a plurality of reference levels to generate a plurality of read data, respectively. Thus, the sense amplifier circuit outputs the plurality of read data with regard to the stored data. The selector selects a data corresponding to any one of the plurality of read data based on a control signal and outputs the selected data as an output data.

摘要翻译： 数据读出电路设置有读出放大器电路和选择器。 感测放大器电路通过使用多个参考电平分别感测存储在存储单元阵列中的存储数据，以生成多个读取数据。 因此，读出放大器电路就存储的数据输出多个读取数据。 选择器基于控制信号选择与多个读取数据中的任何一个对应的数据，并输出所选择的数据作为输出数据。

公开(公告)号：US20120072804A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13306229

申请日：2011-11-29

申请人： Satoru OKU

发明人： Satoru OKU

IPC分类号： G11C29/00 ,  G06F11/10 ,  G06F11/07

CPC分类号： G11C7/1006 ,  G06F11/1004 ,  G11C7/04 ,  G11C7/1045 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/106 ,  G11C2029/0411

摘要： A data read-out circuit is provided with a sense amplifier circuit and a selector. The sense amplifier circuit senses a stored data stored in a memory cell array by using a plurality of reference levels to generate a plurality of read data, respectively. Thus, the sense amplifier circuit outputs the plurality of read data with regard to the stored data. The selector selects a data corresponding to any one of the plurality of read data based on a control signal and outputs the selected data as an output data.

摘要翻译： 数据读出电路设置有读出放大器电路和选择器。 感测放大器电路通过使用多个参考电平分别感测存储在存储单元阵列中的存储数据，以生成多个读取数据。 因此，读出放大器电路就存储的数据输出多个读取数据。 选择器基于控制信号选择与多个读取数据中的任何一个对应的数据，并输出所选择的数据作为输出数据。