公开(公告)号：US4987008A

公开(公告)日：1991-01-22

申请号：US357644

申请日：1989-05-24

申请人： Shunpei Yamazaki ,  Kazuo Urata ,  Mamoru Tashiro ,  Yuji Tanamura ,  Shinji Imato

发明人： Shunpei Yamazaki ,  Kazuo Urata ,  Mamoru Tashiro ,  Yuji Tanamura ,  Shinji Imato

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/306 ,  H01L21/318

CPC分类号： H01L21/02046 ,  G03F7/70925 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3185 ,  Y10S438/906

摘要： Film formation without damage on the surface of semiconductor can be established by generating active halogen or active hydrogen by a photochemical reaction, cleaning on the surface of the semiconductor by removing oxide formed thereon by means of the active elements, and continuously thereafter fabricating the film by a photochemical reaction in the same device.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP86 / 00328 Sec。 371日期1987年3月2日 102（e）1987年3月2日PCT申请1986年6月27日PCT公布。 出版物WO87 / 日本1987年1月15日。通过光化学反应生成活性卤素或活性氢可以形成半导体表面没有损伤的薄膜形成，通过用活性元素除去形成在其上的氧化物，在半导体的表面上进行清洗， 然后在同一装置中通过光化学反应连续制造膜。

公开(公告)号：US4691995A

公开(公告)日：1987-09-08

申请号：US885662

申请日：1986-07-15

申请人： Shunpei Yamazaki ,  Toshimitsu Konuma ,  Toshiji Hamatani ,  Akira Mase ,  Kaoru Koyanagi ,  Shinji Imato ,  Toshiharu Yamaguchi ,  Mitsunori Sakama ,  Takashi Inujima

发明人： Shunpei Yamazaki ,  Toshimitsu Konuma ,  Toshiji Hamatani ,  Akira Mase ,  Kaoru Koyanagi ,  Shinji Imato ,  Toshiharu Yamaguchi ,  Mitsunori Sakama ,  Takashi Inujima

IPC分类号： G02F1/1341 ,  G02F1/13

CPC分类号： G02F1/1341 ,  G02F2001/13415 ,  Y10S359/90

摘要： An improved liquid crystal filling device is shown. Prior to joining a substrate with another substrate between which the liquid crystal is to be charged, the liquid crystal is dropped on the substrate and then the other substrate is superimposed on the substrate under pressure. Sandwiched between the substrates, the liquid crystal spreads at high temperature.

摘要翻译： 示出了改进的液晶填充装置。 在将液晶与另一基板接合的基板之前，将液晶滴在基板上，然后将另一基板在压力下叠加在基板上。 在基板之间夹杂，液晶在高温下扩散。

公开(公告)号：US4949004A

公开(公告)日：1990-08-14

申请号：US307190

申请日：1989-02-08

申请人： Shunpei Yamazaki ,  Takashi Inujima ,  Kazuo Urata ,  Mamoru Tashiro ,  Yuji Tanamura ,  Shinji Imato ,  Kenji Itoh ,  Seiichi Odaka ,  Shigenori Hayashi ,  Naoki Hirose

发明人： Shunpei Yamazaki ,  Takashi Inujima ,  Kazuo Urata ,  Mamoru Tashiro ,  Yuji Tanamura ,  Shinji Imato ,  Kenji Itoh ,  Seiichi Odaka ,  Shigenori Hayashi ,  Naoki Hirose

IPC分类号： H01J61/52

CPC分类号： H01J61/52

摘要： A mercury-vapor lamp is provided with a reservoir in which a superfluous amount of mercury is stored in the form of liquid state. The liquid mercury in the reservoir is cooled to a certain temperature. The pressure of mercury-vapor is automatically reduced to the saturated pressure of the liquid mercury cooled. In this configuration, the pressure of mercury-vapor is controlled by adjusting the temperature of the liquid mercury stored in the reservoir.

公开(公告)号：US4910044A

公开(公告)日：1990-03-20

申请号：US240364

申请日：1988-09-01

申请人： Shunpei Yamazaki ,  Kazuo Urata ,  Mamoru Tashiro ,  Yuji Tanamura ,  Shinji Imato ,  Takashi Inujima ,  Shigenori Hayashi

发明人： Shunpei Yamazaki ,  Kazuo Urata ,  Mamoru Tashiro ,  Yuji Tanamura ,  Shinji Imato ,  Takashi Inujima ,  Shigenori Hayashi

IPC分类号： B01J19/12 ,  C23C16/48

CPC分类号： B01J19/123 ,  C23C16/482

摘要： Ultraviolet light is emitted mainly with 185 nm in wave length so that a thick silicon layer is fabricated by decomposition of silane gas at a high deposition speed. As a light source, a bulb is filled with an amount of mercury gas without dosing argon gas which enhances preferentially light with 254 nm in wave length.

摘要翻译： 紫外线主要以波长185nm发射，从而通过以高沉积速度分解硅烷气体来制造厚硅层。 作为光源，灯泡充满一定数量的汞气体，而不投入氩气，其优先增强波长为254nm的光。