公开(公告)号：US4624740A

公开(公告)日：1986-11-25

申请号：US693698

申请日：1985-01-22

申请人： Allan D. Abrams ,  Robert C. Bausmith ,  Karey L. Holland ,  Steven P. Holland

发明人： Allan D. Abrams ,  Robert C. Bausmith ,  Karey L. Holland ,  Steven P. Holland

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/312 ,  B44C1/22 ,  C03C25/06

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/31116 ,  Y10S438/978

摘要： A method of selectively tailoring the slope of via hole sidewalls. A first polyimide layer (in which the vias are to be formed) is covered by a strippable layer, and the two layers are isotropically etched. By varying the thickness of the strippable layer with respect to that of the polyimide layer, the slope of the via hole sidewalls can be controlled.

摘要翻译： 选择性地定制通孔侧壁的斜率的方法。 第一聚酰亚胺层（其中将形成通孔）被可剥离层覆盖，并且两层被各向同性地蚀刻。 通过改变可剥离层相对于聚酰亚胺层的厚度，可以控制通孔侧壁的斜率。