公开(公告)号：US20150235939A1

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：US14588506

申请日：2015-01-02

申请人： Sunyeong LEE ,  Kyoung-Hoon KIM ,  Jin-Woo PARK ,  SeungWoo PAEK ,  Seok-won LEE ,  Taekeun CHO

发明人： Sunyeong LEE ,  Kyoung-Hoon KIM ,  Jin-Woo PARK ,  SeungWoo PAEK ,  Seok-won LEE ,  Taekeun CHO

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L2224/32145

摘要： Three-dimensional (3D) semiconductor devices are provided. The 3D semiconductor device includes a plurality of dummy pillars penetrating each cell pad of an electrode structure and the electrode structure disposed under each cell pad. Insulating patterns of a mold stack structure for formation of the electrode structure may be supported by the plurality of dummy pillars, so transformation and contact of the insulating patterns may be minimized or prevented.

摘要翻译： 提供三维（3D）半导体器件。 3D半导体器件包括穿过电极结构的每个电池衬垫的多个虚拟柱和设置在每个电池衬垫下方的电极结构。 用于形成电极结构的模具堆叠结构的绝缘图案可以由多个虚拟支柱支撑，因此可以最小化或防止绝缘图案的变形和接触。