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    METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
    2.
    发明申请
    METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20150255290A1

    公开(公告)日：2015-09-10

    申请号：US14433191

    申请日：2012-12-07

    申请人： Fumihito Masuoka ,  Katsumi Nakamura ,  Takao Kachi

    发明人： Fumihito Masuoka ,  Katsumi Nakamura ,  Takao Kachi

    IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

    CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/861

    摘要： An insulating film (2) is formed on a main surface of a semiconductor substrate (1) that includes an active region and a termination region. The insulating film (2) in the active region is etched to form an opening (3). The insulating film (2) is used as a mask and an impurity is implanted into the semiconductor substrate (1) in a direction tilted by 20° or more from a direction normal to the main surface of the semiconductor substrate (1) while rotating the semiconductor substrate (1) to form a diffusion layer (7) in the active region. The diffusion layer (7) extends wider than the opening (3) up to below the insulating film (2) on the termination region side.

    摘要翻译： 绝缘膜（2）形成在包括有源区和端接区的半导体衬底（1）的主表面上。 有源区域中的绝缘膜（2）被蚀刻以形成开口（3）。 绝缘膜（2）用作掩模，并且在从半导体衬底（1）的主表面垂直的方向上倾斜20°或更大的方向将杂质注入到半导体衬底（1）中，同时旋转 半导体衬底（1）以在有源区中形成扩散层（7）。 扩散层（7）在开口（3）上延伸到终端区域侧的绝缘膜（2）的下方。

    SEMICONDUCTOR DEVICE
    3.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US20130093065A1

    公开(公告)日：2013-04-18

    申请号：US13525478

    申请日：2012-06-18

    申请人： Takao KACHI ,  Yasuhiro YOSHIURA ,  Fumihito MASUOKA

    发明人： Takao KACHI ,  Yasuhiro YOSHIURA ,  Fumihito MASUOKA

    IPC分类号： H01L29/02

    CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36

    摘要： A semiconductor device includes: an N-type drift layer; a P-type anode layer above the N-type drift layer; an N-type cathode layer below the N-type drift layer; a first short lifetime layer between the N-type drift layer and the P-type anode layer; and a second short lifetime layer between the N-type drift layer and the N-type cathode layer. A carrier lifetime in the first and second short lifetime layers is shorter than a carrier lifetime in the N-type drift layer. A carrier lifetime in the N-type cathode layer is longer than the carrier lifetime in the N-type drift layer.

    摘要翻译： 一种半导体器件包括：N型漂移层; N型漂移层上方的P型阳极层; N型漂移层下面的N型阴极层; 在N型漂移层和P型阳极层之间的第一短寿命层; 以及N型漂移层和N型阴极层之间的第二短寿命层。 第一和第二短寿命层中的载流子寿命短于N型漂移层中的载流子寿命。 N型阴极层中的载流子寿命长于N型漂移层中的载流子寿命。

    Semiconductor device
    4.
    发明授权
    Semiconductor device 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US08698250B2

    公开(公告)日：2014-04-15

    申请号：US13525478

    申请日：2012-06-18

    申请人： Takao Kachi ,  Yasuhiro Yoshiura ,  Fumihito Masuoka

    发明人： Takao Kachi ,  Yasuhiro Yoshiura ,  Fumihito Masuoka

    IPC分类号： H01L21/70

    CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36

    摘要： A semiconductor device includes: an N-type drift layer; a P-type anode layer above the N-type drift layer; an N-type cathode layer below the N-type drift layer; a first short lifetime layer between the N-type drift layer and the P-type anode layer; and a second short lifetime layer between the N-type drift layer and the N-type cathode layer. A carrier lifetime in the first and second short lifetime layers is shorter than a carrier lifetime in the N-type drift layer. A carrier lifetime in the N-type cathode layer is longer than the carrier lifetime in the N-type drift layer.

    摘要翻译： 一种半导体器件包括：N型漂移层; N型漂移层上方的P型阳极层; N型漂移层下面的N型阴极层; 在N型漂移层和P型阳极层之间的第一短寿命层; 以及N型漂移层和N型阴极层之间的第二短寿命层。 第一和第二短寿命层中的载流子寿命短于N型漂移层中的载流子寿命。 N型阴极层中的载流子寿命长于N型漂移层中的载流子寿命。