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    METHODS OF ATOMIC LAYER DEPOSITION USING HAFNIUM AND ZIRCONIUM-BASED PRECURSORS
    2.
    发明申请
    METHODS OF ATOMIC LAYER DEPOSITION USING HAFNIUM AND ZIRCONIUM-BASED PRECURSORS 有权
    使用铪和锆基前驱体的原子层沉积方法

    公开(公告)号：US20090081385A1

    公开(公告)日：2009-03-26

    申请号：US12207968

    申请日：2008-09-10

    申请人： Peter Nicholas Heys ,  Andrew Kingsley ,  Fuquan Song ,  Paul Williams ,  Thomas Leese ,  Hywel Owen Davies ,  Rajesh Odedra

    发明人： Peter Nicholas Heys ,  Andrew Kingsley ,  Fuquan Song ,  Paul Williams ,  Thomas Leese ,  Hywel Owen Davies ,  Rajesh Odedra

    IPC分类号： B05D5/12

    CPC分类号： C23C16/45553

    摘要： Methods of forming a metal-containing film by atomic layer deposition is provided. The methods comprise delivering at least one precursor to a substrate, wherein the at least one precursor corresponds in structure to Formula II: wherein: M is Hf or Zr; R is C1-C6-alkyl; n is zero, 1, 2, 3, 4 or 5; L is C1-C6-alkoxy. Further methods are provided of forming a metal-containing film by liquid injection atomic layer deposition. The methods comprise delivering at least one precursor to a substrate, wherein the at least one precursor corresponds in structure to Formula III: wherein: M is Hf or Zr; R is C1-C6-alkyl; n is zero, 1, 2, 3, 4 or 5; L is amino, wherein the amino is optionally independently substituted 1 or 2 times with C1-C6-alkyl.

    摘要翻译： 提供了通过原子层沉积法形成含金属膜的方法。 所述方法包括将至少一种前体递送至基底，其中所述至少一种前体在结构上相应于式II：其中：M是Hf或Zr; R是C 1 -C 6 - 烷基; n为零，1，2，3，4或5; L是C1-C6-烷氧基。 提供了通过液体注入原子层沉积形成含金属膜的其它方法。 所述方法包括将至少一种前体递送至基底，其中所述至少一种前体在结构上对应于式III：其中：M是Hf或Zr; R是C 1 -C 6 - 烷基; n为零，1，2，3，4或5; L是氨基，其中氨基任选独立地被C 1 -C 6烷基取代1或2次。

    Methods of atomic layer deposition using hafnium and zirconium-based precursors
    3.
    发明授权
    Methods of atomic layer deposition using hafnium and zirconium-based precursors 有权
    使用铪和锆基前体的原子层沉积方法

    公开(公告)号：US08039062B2

    公开(公告)日：2011-10-18

    申请号：US12207968

    申请日：2008-09-10

    申请人： Peter Nicholas Heys ,  Andrew Kingsley ,  Fuquan Song ,  Paul Williams ,  Thomas Leese ,  Hywel Owen Davies ,  Rajesh Odedra

    发明人： Peter Nicholas Heys ,  Andrew Kingsley ,  Fuquan Song ,  Paul Williams ,  Thomas Leese ,  Hywel Owen Davies ,  Rajesh Odedra

    IPC分类号： C23C8/00 ,  C23C16/00

    CPC分类号： C23C16/45553

    摘要： Methods of forming a metal-containing film by atomic layer deposition is provided. The methods comprise delivering at least one precursor to a substrate, wherein the at least one precursor corresponds in structure to Formula II: wherein: M is Hf or Zr; R is C1-C6-alkyl; n is zero, 1, 2, 3, 4 or 5; L is C1-C6-alkoxy. Further methods are provided of forming a metal-containing film by liquid injection atomic layer deposition. The methods comprise delivering at least one precursor to a substrate, wherein the at least one precursor corresponds in structure to Formula III: wherein: M is Hf or Zr; R is C1-C6-alkyl; n is zero, 1, 2, 3, 4 or 5; L is amino, wherein the amino is optionally independently substituted 1 or 2 times with C1-C6-alkyl.

    摘要翻译： 提供了通过原子层沉积法形成含金属膜的方法。 所述方法包括将至少一种前体递送至基底，其中所述至少一种前体在结构上相应于式II：其中：M是Hf或Zr; R是C 1 -C 6 - 烷基; n为零，1，2，3，4或5; L是C1-C6-烷氧基。 提供了通过液体注入原子层沉积形成含金属膜的其它方法。 所述方法包括将至少一种前体递送至基底，其中所述至少一种前体在结构上对应于式III：其中：M是Hf或Zr; R是C 1 -C 6 - 烷基; n为零，1，2，3，4或5; L是氨基，其中氨基任选独立地被C 1 -C 6烷基取代1或2次。