公开(公告)号：US20140008726A1

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：US13541751

申请日：2012-07-04

Applicant: Yu-Jen HSIAO ,  Ting-Jen HSUEH ,  Jia-Min SHIEH ,  Yu-Ming YEH ,  Chee-Wee LIU ,  Bau-Tong DAI ,  Fu-Liang YANG

Inventor： Yu-Jen HSIAO ,  Ting-Jen HSUEH ,  Jia-Min SHIEH ,  Yu-Ming YEH ,  Chee-Wee LIU ,  Bau-Tong DAI ,  Fu-Liang YANG

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/34 ,  H01L27/142 ,  H01L29/045 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: A semiconductor structure fabricating method includes the following steps. Firstly, a silicon substrate is provided. The silicon substrate has a first surface and a second surface. In addition, a first semiconductor structure is formed on the first surface of the silicon substrate. Then, the second surface of the silicon substrate is textured as a rough surface. Then, a first electrode layer is formed on the rough surface.

Abstract translation: 半导体结构制造方法包括以下步骤。 首先，提供硅基板。 硅衬底具有第一表面和第二表面。 此外，在硅衬底的第一表面上形成第一半导体结构。 然后，硅衬底的第二表面作为粗糙表面被纹理化。 然后，在粗糙表面上形成第一电极层。