公开(公告)号：US20100258167A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12756804

申请日：2010-04-08

申请人： FENG FAN CHANG ,  HSIN CHIH LIN ,  HSIN HUNG LIN ,  CHI HAU HSIEH ,  TZUNG ZONE LI

发明人： FENG FAN CHANG ,  HSIN CHIH LIN ,  HSIN HUNG LIN ,  CHI HAU HSIEH ,  TZUNG ZONE LI

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A photovoltaic cell structure includes a substrate, a metal layer, a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, a high resistivity layer, an assistant electrode layer, and a transparent conductive layer. The metal layer is formed on the substrate, and comprises a plurality of p-type electrode units separated from each other. The p-type semiconductor layer is formed on the metal layer. The n-type semiconductor is formed on the p-type semiconductor layer, thereby forming a p-n junction. The high resistivity layer is formed on the n-type semiconductor layer. The assistant electrode layer is formed on the high resistivity layer and the p-type electrode units. The transparent conductive layer is formed on the assistant electrode layer, the high resistivity layer and the p-type electrode units. Accordingly, at least one cell is formed on each of the p-type electrode units. The assistant electrode layer and the transparent conductive layer are connected to the cells in series.

摘要翻译： 光电池结构包括基板，金属层，p型半导体层，n型半导体层，高电阻率层，辅助电极层和透明导电层。 金属层形成在基板上，并且包括彼此分离的多个p型电极单元。 p型半导体层形成在金属层上。 在p型半导体层上形成n型半导体，由此形成p-n结。 在n型半导体层上形成高电阻率层。 辅助电极层形成在高电阻率层和p型电极单元上。 透明导电层形成在辅助电极层，高电阻层和p型电极单元上。 因此，在每个p型电极单元上形成至少一个电池。 辅助电极层和透明导电层与电池串联连接。

公开(公告)号：US20090091241A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：US11862134

申请日：2007-09-26

申请人： Chung Che Tsou ,  Cheng Fan Lin ,  Tzeng Cheng Luo ,  Shin Ju Lin ,  Tzung Zone Li ,  Hai Tang

发明人： Chung Che Tsou ,  Cheng Fan Lin ,  Tzeng Cheng Luo ,  Shin Ju Lin ,  Tzung Zone Li ,  Hai Tang

IPC分类号： H01J1/62 ,  H01J9/20

CPC分类号： H01L27/322 ,  H01L27/3211 ,  H01L51/5284

摘要： A full-color OLED display panel comprises a full-color organic light-emitting device and a colored filter device stacked on the light-exit surface of the full-color organic light-emitting device. The full-color organic light-emitting device comprises a first electrode, a plurality of second electrodes, a first light-emitting layer sandwiched between the first electrode and a portion of the second electrodes, and a second light-emitting layer sandwiched between the first electrode and portions of the second electrodes and the first light-emitting layer. The colored filter device comprises a substrate, and a plurality of first color filter portions, a plurality of second color filter portions and a plurality of third color filter portions disposed on the surface of the substrate. The first color filter portions allow a first color light emitted from the first light-emitting layer to pass through, and the second color filter portions and the third color filter portions each allow rays with different wavelengths in a second color light emitted from the second light-emitting layer to pass through.

摘要翻译： 全色OLED显示面板包括全色有机发光装置和堆叠在全色有机发光装置的光出射面上的彩色滤光片装置。 全色有机发光装置包括第一电极，多个第二电极，夹在第一电极和第二电极的一部分之间的第一发光层和夹在第一电极之间的第二发光层 电极以及第二电极和第一发光层的部分。 彩色滤光片装置包括基板和多个第一滤色器部分，多个第二滤色器部分和设置在基板表面上的多个第三滤色器部分。 第一滤色器部分允许从第一发光层发射的第一颜色光通过，并且第二滤色器部分和第三滤色器部分允许在从第二光发射的第二颜色光中具有不同波长的光线 发送层通过。

公开(公告)号：US20100243044A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12507930

申请日：2009-07-23

申请人： FENG FAN CHANG ,  HSIN HUNG LIN ,  HSIN CHIH LIN ,  CHI HAU HSIEH ,  TZUNG ZONE LI

发明人： FENG FAN CHANG ,  HSIN HUNG LIN ,  HSIN CHIH LIN ,  CHI HAU HSIEH ,  TZUNG ZONE LI

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0272

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A photovoltaic cell structure includes a substrate, a metal layer, a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, a transparent conductive layer and a high resistivity layer. The metal layer is formed on the substrate. The p-type semiconductor layer is formed on the metal layer and may include a compound of copper indium gallium selenium sulfur (CIGSS), copper indium gallium selenium (CIGS), copper indium sulfur (CIS), copper indium selenium (CIS) or a compound of at least two of copper, selenium or sulfur. The n-type semiconductor layer exhibits photo catalyst behavior that can increase carrier mobility by receiving light, and is formed on the p-type semiconductor layer, thereby forming a p-n junction. The transparent conductive layer is formed on the n-type semiconductor layer. The high resistivity layer is formed between the metal layer and the transparent conductive layer.

摘要翻译： 光伏电池结构包括基板，金属层，p型半导体层，n型半导体层，透明导电层和高电阻率层。 金属层形成在基板上。 p型半导体层形成在金属层上，可以包括铜铟镓硒硫化合物（CIGSS），铜铟镓硒（CIGS），铜铟硫（CIS），铜铟硒（CIS）或 铜，硒或硫中的至少两种的化合物。 n型半导体层表现出可以通过接收光而增加载流子迁移率的光催化剂行为，并且形成在p型半导体层上，从而形成p-n结。 透明导电层形成在n型半导体层上。 在金属层和透明导电层之间形成高电阻率层。

公开(公告)号：US20100139757A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12395517

申请日：2009-02-27

申请人： FENG FAN CHANG ,  HSIN CHIH LIN ,  HSIN HUNG LIN ,  CHI HAU HSIEH ,  TZUNG ZONE LI

发明人： FENG FAN CHANG ,  HSIN CHIH LIN ,  HSIN HUNG LIN ,  CHI HAU HSIEH ,  TZUNG ZONE LI

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/0749 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A photovoltaic cell structure includes a substrate, a metal layer, a high resistivity layer, a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer and a transparent conductive layer. The metal layer may include molybdenum and be formed on the substrate to be a back contact metal layer of the cell. The high resistivity layer (e.g., V2O5) is formed on the metal layer. The p-type semiconductor layer is formed on the high resistivity layer and may include compound of CIGS or CIS. The n-type semiconductor layer (e.g., CdS) is formed on the p-type semiconductor layer, thereby forming a p-n junction. The transparent conductive layer is formed on the n-type semiconductor layer.

摘要翻译： 光伏电池结构包括基板，金属层，高电阻率层，p型半导体层，n型半导体层和透明导电层。 金属层可以包括钼，并且在基板上形成为电池的背接触金属层。 在金属层上形成高电阻率层（例如，V 2 O 5）。 p型半导体层形成在高电阻率层上，可以包括CIGS或CIS的化合物。 在p型半导体层上形成n型半导体层（例如CdS），由此形成p-n结。 透明导电层形成在n型半导体层上。

公开(公告)号：US20100139758A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12395560

申请日：2009-02-27

申请人： FENG FAN CHANG ,  HSIN CHIH LIN ,  HSIN HUNG LIN ,  CHI HAU HSIEH ,  TZUNG ZONE LI

发明人： FENG FAN CHANG ,  HSIN CHIH LIN ,  HSIN HUNG LIN ,  CHI HAU HSIEH ,  TZUNG ZONE LI

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A photovoltaic cell structure includes a substrate, a metal layer, a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer and a transparent conductive layer. The substrate has a rough surface. The metal layer may include molybdenum and be formed on the rough surface. The p-type semiconductor layer is formed on the metal layer and may include CIGSS, CIGS, CIS, or compound of two or more of copper, selenium, sulfur. The n-type semiconductor layer is formed on the p-type semiconductor layer thereby forming a rough p-n junction surface. The n-type semiconductor layer may include CdS. The transparent conductive layer is formed on the n-type semiconductor layer. In an embodiment, the roughness Ra of the rough surface is between 0.01 to 100 μm.

摘要翻译： 光伏电池结构包括基板，金属层，p型半导体层，n型半导体层和透明导电层。 基板表面粗糙。 金属层可以包括钼并且形成在粗糙表面上。 p型半导体层形成在金属层上，可以包括CIGSS，CIGS，CIS或两种或多种铜，硒，硫的化合物。 n型半导体层形成在p型半导体层上，从而形成粗糙的p-n结表面。 n型半导体层可以包括CdS。 透明导电层形成在n型半导体层上。 在一个实施例中，粗糙表面的粗糙度Ra在0.01至100μm之间。