公开(公告)号：US08885413B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13425203

申请日：2012-03-20

申请人： Danut Manea ,  Erwin Castillon ,  Uday Mudumba ,  Sabina Centazzo ,  Stephen Trinh ,  Dixie Nguyen

发明人： Danut Manea ,  Erwin Castillon ,  Uday Mudumba ,  Sabina Centazzo ,  Stephen Trinh ,  Dixie Nguyen

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C16/10

摘要： Systems and techniques for performing write operations on non-volatile memory are described. A described system includes a memory structure including non-volatile memory cells that are arranged on word lines and bit lines and a microcontroller that is communicatively coupled with the memory structure. The memory structure can include non-volatile memory cells that are arranged on word lines and bit lines. The microcontroller can be configured to receive data to write to the memory structure, write the data to the memory structure using a selected word line of the word lines, detect a failure to write the data, apply, based on the failure, a negative bias voltage to one or more unselected word lines of the word lines during a negative bias period, and write the data to the portion of the memory cells using the selected word line during the negative bias period.

摘要翻译： 描述用于在非易失性存储器上执行写入操作的系统和技术。 所描述的系统包括存储器结构，其包括布置在字线和位线上的非易失性存储器单元和与存储器结构通信耦合的微控制器。 存储器结构可以包括布置在字线和位线上的非易失性存储器单元。 微控制器可以配置为接收数据写入存储器结构，使用字线的选定字线将数据写入存储器结构，检测到写入数据失败，应用于故障，负偏差 电压到负偏压周期期间的字线的一个或多个未选字线，并且在负偏压周期期间使用所选择的字线将数据写入存储器单元的部分。

公开(公告)号：US08830759B2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：US13316301

申请日：2011-12-09

申请人： Erwin Castillon ,  Uday Mudumba

发明人： Erwin Castillon ,  Uday Mudumba

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C7/02 ,  G11C7/062 ,  G11C7/067 ,  G11C16/28

摘要： A sense amplifier includes a sense input node, a current mirror circuit to mirror the current on the sense input node, and a result output node. A current source supplies an offset current. The sense amplifier increases the current on the sense input node by the offset current and reduces the offset current from the mirrored current at the result output node.

摘要翻译： 感测放大器包括感测输入节点，用于镜像感测输入节点上的电流的电流镜像电路以及结果输出节点。 电流源提供偏移电流。 读出放大器通过偏移电流增加感测输入节点上的电流，并将结果输出节点上的镜像电流的偏移电流减小。

公开(公告)号：US20130148432A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：US13316301

申请日：2011-12-09

申请人： Erwin Castillon ,  Uday Mudumba

发明人： Erwin Castillon ,  Uday Mudumba

IPC分类号： G11C16/06 ,  H03F3/45

CPC分类号： G11C7/02 ,  G11C7/062 ,  G11C7/067 ,  G11C16/28

摘要： A sense amplifier includes a sense input node, a current mirror circuit to mirror the current on the sense input node, and a result output node. A current source supplies an offset current. The sense amplifier increases the current on the sense input node by the offset current and reduces the offset current from the mirrored current at the result output node.

摘要翻译： 感测放大器包括感测输入节点，用于镜像感测输入节点上的电流的电流镜像电路以及结果输出节点。 电流源提供偏移电流。 读出放大器通过偏移电流增加感测输入节点上的电流，并将结果输出节点上的镜像电流的偏移电流减小。

公开(公告)号：US20130250692A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13425203

申请日：2012-03-20

申请人： Danut Manea ,  Erwin Castillon ,  Uday Mudumba ,  Sabina Centazzo ,  Stephen Trinh ,  Dixie Nguyen

发明人： Danut Manea ,  Erwin Castillon ,  Uday Mudumba ,  Sabina Centazzo ,  Stephen Trinh ,  Dixie Nguyen

IPC分类号： G11C16/10

CPC分类号： G11C16/10

摘要： Systems and techniques for performing write operations on non-volatile memory are described. A described system includes a memory structure including non-volatile memory cells that are arranged on word lines and bit lines and a microcontroller that is communicatively coupled with the memory structure. The memory structure can include non-volatile memory cells that are arranged on word lines and bit lines. The microcontroller can be configured to receive data to write to the memory structure, write the data to the memory structure using a selected word line of the word lines, detect a failure to write the data, apply, based on the failure, a negative bias voltage to one or more unselected word lines of the word lines during a negative bias period, and write the data to the portion of the memory cells using the selected word line during the negative bias period.

摘要翻译： 描述用于在非易失性存储器上执行写入操作的系统和技术。 所描述的系统包括存储器结构，其包括布置在字线和位线上的非易失性存储器单元和与存储器结构通信耦合的微控制器。 存储器结构可以包括布置在字线和位线上的非易失性存储器单元。 微控制器可以配置为接收数据写入存储器结构，使用字线的选定字线将数据写入存储器结构，检测到失败写入数据，应用于故障，负偏差 电压到负偏压周期期间的字线的一个或多个未选字线，并且在负偏压周期期间使用所选择的字线将数据写入存储器单元的部分。