公开(公告)号：US07005681B2

公开(公告)日：2006-02-28

申请号：US10488489

申请日：2002-08-30

申请人： Stefan Bader ,  Viorel Dumitru ,  Volker Härle ,  Bertram Kuhn ,  Alfred Lell ,  Jürgen Off ,  Ferdinand Scholz ,  Heinz Schweizer

发明人： Stefan Bader ,  Viorel Dumitru ,  Volker Härle ,  Bertram Kuhn ,  Alfred Lell ,  Jürgen Off ,  Ferdinand Scholz ,  Heinz Schweizer

IPC分类号： H10L33/00

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/14 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

摘要： A radiation-emitting semiconductor component having a semiconductor body (1), which has a radiation-generating active layer (9) and a p-conducting contact layer (2), which contains InGaN or AlInGaN and to which a contact metalization (3) is applied.

摘要翻译： 一种具有半导体主体（1）的辐射发射半导体部件，其具有含有InGaN或AlInGaN的发射有机层（9）和p导电接触层（2），并且接触金属化（3） 被申请;被应用。