公开(公告)号：US20080028359A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：US11496279

申请日：2006-07-31

申请人： Stefan Blawid ,  Wolfram Koestler ,  Ralf Ziebold

发明人： Stefan Blawid ,  Wolfram Koestler ,  Ralf Ziebold

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： H01L27/0203 ,  G03F1/00

摘要： Termination structure for a pattern, especially an at least partially regular spaced pattern used in the manufacturing of semiconductor devices, especially DRAM-chips, wherein the termination structure comprises at least a first line-shaped element and at least one extension element adjacent to the first line-shaped element partially increasing the width of the first line-shaped element.

摘要翻译： 用于图案的端接结构，特别是用于制造半导体器件，特别是DRAM芯片的至少部分规则间隔的图案，其中终端结构包括至少第一线状元件和至少一个与第一线形元件相邻的延伸元件 线状元件部分地增加第一线状元件的宽度。

公开(公告)号：US20060183258A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11334941

申请日：2006-01-19

申请人： Mario Hennig ,  Wolfram Koestler ,  Molela Moukara ,  Joerg Thiele ,  Thorsten Winkler ,  Karsten Zeiler

发明人： Mario Hennig ,  Wolfram Koestler ,  Molela Moukara ,  Joerg Thiele ,  Thorsten Winkler ,  Karsten Zeiler

IPC分类号： G06F17/50 ,  H01L21/00

CPC分类号： G03F7/70433 ,  G03F1/00 ,  G03F7/70125

摘要： An imaging system having a dipole diaphragm (2) having two diaphragm openings (2b) arranged one behind the other in a dipole axis (y), and a mask having mask structures (20, 23) is used for producing semiconductor structures (10′, 13′) on a wafer (15′) by imaging the mask (25) onto the wafer (15′). The dipole diaphragm (2) is provided for the imaging of the mask (25), and the mask (25), for producing main semiconductor structures (10; 10′) on the wafer (15′), has main mask structures (20) parallel to an imaging axis (x) running perpendicular to the dipole axis (y). At least one connecting mask structure (23′) oriented obliquely with respect to the dipole axis (y) at least in sections is formed on the mask (25), which structure connects at least two main mask structures (20) to one another.

摘要翻译： 一种具有偶极子（2）的成像系统，其具有在偶极轴（y）中一个彼此排列的两个隔膜开口（2b）和具有掩模结构（20,23）的掩模，用于制造半导体结构 '，13'）通过将掩模（25）成像到晶片（15'）上而在晶片（15'）上。 提供偶极隔膜（2）用于掩模（25）的成像，并且用于在晶片（15'）上制造主半导体结构（10; 10'）的掩模（25）具有主掩模结构（20 ）平行于垂直于偶极轴（y）延伸的成像轴（x）。 在掩模（25）上形成至少一部分相对于偶极轴（y）倾斜定向的至少一个连接掩模结构（23'），该结构将至少两个主掩模结构（20）彼此连接。

公开(公告)号：US20060177773A1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：US11335152

申请日：2006-01-19

申请人： Mario Hennig ,  Wolfram Koestler ,  Molela Moukara ,  Joerg Thiele ,  Thorsten Winkler ,  Karsten Zeiler

发明人： Mario Hennig ,  Wolfram Koestler ,  Molela Moukara ,  Joerg Thiele ,  Thorsten Winkler ,  Karsten Zeiler

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/70 ,  G03F7/701 ,  G03F7/70425

摘要： A method is used to produce semiconductor patterns (10′, 13′) on a wafer (15′). For this purpose, a mask (25) and a dipole aperture (2) with two aperture openings (2b) arranged behind one another in a dipole axis (y) are used. The mask (25) is imaged on the wafer (15′) by means of the dipole aperture (2) and, by the imaging of the mask (25) on the wafer (15′), main semiconductor patterns (10′) are produced which are aligned perpendicularly to the dipole axis (y) and in parallel with an imaging axis (x). A second mask (35) with at least one connecting mask pattern (33) is imaged on the wafer (15′) by means of a second aperture (6), as a result of which a connecting semiconductor pattern (13) is produced on the wafer (15′), by means of which at least two of the main semiconductor patterns (10′) are connected to one another.

摘要翻译： 使用一种方法来在晶片（15'）上产生半导体图案（10'，13'）。 为此，使用具有在偶极轴（y）中彼此相邻布置的两个开口开口（2b）的掩模（25）和偶极孔（2）。 通过偶极孔（2）将掩模（25）成像在晶片（15'）上，并且通过在晶片（15'）上的掩模（25）的成像，主半导体图案（10'） 产生的垂直于偶极轴（y）并与成像轴（x）平行排列。 具有至少一个连接掩模图案（33）的第二掩模（35）通过第二孔（6）被成像在晶片（15'）上，结果在其上产生连接半导体图案（13） 所述晶片（15'）通过所述晶片（15'）中的至少两个所述主半导体图案（10'）彼此连接。