公开(公告)号：US20070128849A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11672129

申请日：2007-02-07

申请人： Xiaoqiang YAO ,  Bi-Ming YEN ,  Taejoon HAN ,  Peter LOEWENHARDT

发明人： Xiaoqiang YAO ,  Bi-Ming YEN ,  Taejoon HAN ,  Peter LOEWENHARDT

IPC分类号： C09J163/00 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  Y10S438/905

摘要： A method for forming features in dielectric layers and opening barrier layers for a plurality of wafers and cleaning an etch chamber after processing and removing each wafer of the plurality of wafers is provided. A wafer of the plurality of wafers is placed into the etch chamber wherein the wafer has a barrier layer over the wafer and a dielectric layer over the barrier layer. The dielectric layer is etched. The barrier layer is opened. The wafer is removed from the etch chamber. A waferless automatic cleaning of the etch chamber without the wafer is provided. The waferless automatic cleaning comprises providing a waferless automatic cleaning gas comprising oxygen and nitrogen to the etch chamber and forming a waferless automatic cleaning plasma from the waferless automatic cleaning gas to clean the etch chamber.

摘要翻译： 提供了一种用于在电介质层中形成特征并为多个晶片打开阻挡层并在处理和去除多个晶片中的每个晶片之后清洁蚀刻室的方法。 将多个晶片的晶片放置在蚀刻室中，其中晶片在晶片上方具有阻挡层，并且在阻挡层上方具有介电层。 蚀刻介电层。 阻隔层打开。 从蚀刻室移除晶片。 提供了没有晶片的蚀刻室的无晶圆自动清洗。 无晶圆自动清洁包括向蚀刻室提供包括氧和氮的无晶圆自动清洁气体，并从无晶圆自动清洁气体形成无晶圆的自动清洁等离子体，以清洁蚀刻室。

公开(公告)号：US07001529B2

公开(公告)日：2006-02-21

申请号：US10400404

申请日：2003-03-27

申请人： Taejoon Han ,  Xiaoqiang Yao

发明人： Taejoon Han ,  Xiaoqiang Yao

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01J37/32963 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

摘要： A method for controlling a photoresist etch step in a plasma processing chamber is disclosed. The photoresist etch step being configured to etch back a photoresist layer deposited on a substrate surface to a thinner photoresist layer having predefined photoresist thickness. The method includes etching the photoresist layer using a plasma etch process and detecting interference patterns coming from the photoresist layer. The method further includes terminating the photoresist etch step when an analysis of the interference patterns indicates that the predefined photoresist thickness is achieved, whereby the predefined photoresist thickness is greater than zero.

摘要翻译： 公开了一种用于控制等离子体处理室中的光致抗蚀剂蚀刻步骤的方法。 光致抗蚀剂蚀刻步骤被配置为将沉积在衬底表面上的光致抗蚀剂层刻蚀成具有预定光致抗蚀剂厚度的更薄的光致抗蚀剂层。 该方法包括使用等离子体蚀刻工艺蚀刻光刻胶层并检测来自光致抗蚀剂层的干涉图案。 该方法还包括当干涉图案的分析指示实现预定的光致抗蚀剂厚度时，终止光致抗蚀剂蚀刻步骤，由此预定的光致抗蚀剂厚度大于零。

公开(公告)号：US20050233590A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US10828065

申请日：2004-04-19

申请人： Xiaoqiang Yao ,  Bi-Ming Yen ,  Taejoon Han ,  Peter Loewenhardt

发明人： Xiaoqiang Yao ,  Bi-Ming Yen ,  Taejoon Han ,  Peter Loewenhardt

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/465 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  Y10S438/905

摘要： A method for forming features in dielectric layers and opening barrier layers for a plurality of wafers and cleaning an etch chamber after processing and removing each wafer of the plurality of wafers is provided. A wafer of the plurality of wafers is placed into the etch chamber wherein the wafer has a barrier layer over the wafer and a dielectric layer over the barrier layer. The dielectric layer is etched. The barrier layer is opened. The wafer is removed from the etch chamber. A waferless automatic cleaning of the etch chamber without the wafer is provided. The waferless automatic cleaning comprises providing a waferless automatic cleaning gas comprising oxygen and nitrogen to the etch chamber and forming a waferless automatic cleaning plasma from the waferless automatic cleaning gas to clean the etch chamber.

摘要翻译： 提供了一种用于在电介质层中形成特征的方法和用于多个晶片的开口阻挡层并且在处理和去除多个晶片中的每个晶片之后清洁蚀刻室。 将多个晶片的晶片放置在蚀刻室中，其中晶片在晶片上方具有阻挡层，并且在阻挡层上方具有介电层。 蚀刻介电层。 阻隔层打开。 从蚀刻室移除晶片。 提供了没有晶片的蚀刻室的无晶圆自动清洗。 无晶圆自动清洁包括向蚀刻室提供包括氧和氮的无晶圆自动清洁气体，并从无晶圆自动清洁气体形成无晶圆的自动清洗等离子体，以清洁蚀刻室。

公开(公告)号：US5236691A

公开(公告)日：1993-08-17

申请号：US666572

申请日：1991-03-08

申请人： Hugo F. Franzen ,  Xiaoqiang Yao

发明人： Hugo F. Franzen ,  Xiaoqiang Yao

IPC分类号： C01G35/00

CPC分类号： C01G35/006 ,  C01P2002/20 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/85 ,  C01P2006/80

摘要： A ternary Nb-Ta-S compound is provided having the atomic formula, Nb.sub.1.72 Ta.sub.3.28 S.sub.2, and exhibiting a layered structure in the sequence S-M3-M2-M1-M2-M3-S wherein S represents sulfur layers and M1, M2, and M3 represent Nb/Ta mixed metal layers. This sequence generates seven sheets stacked along the [001] direction of an approximate body centered cubic crystal structure with relatively weak sulfur-to-sulfur van der Waals type interactions between adjacent sulfur sheets and metal-to-metal bonding within and between adjacent mixed metal sheets.

摘要翻译： 提供具有原子数式Nb1.72Ta3.28S2的三元Nb-Ta-S化合物，并且呈顺序S-M3-M2-M1-M2-M3-S的层状结构，其中S表示硫层和M1， M2和M3表示Nb / Ta混合金属层。 该顺序产生沿着[001]方向沿着[001]方向堆叠的七个片材，其近似体心立方晶体结构，相邻硫磺片之间的相对弱的硫 - 硫范德华型相互作用和相邻混合金属之间和之间的金属 - 金属键合 床单。