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1.发明申请AL-SB-TE PHASE CHANGE MATERIAL USED FOR PHASE CHANGE MEMORY AND FABRICATION METHOD THEREOF 有权用于相位变化记忆的AL-SB-TE相变材料及其制造方法公开(公告)号：US20130334469A1
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：US13202953
申请日：2011-06-24
申请人： Cheng Peng , Liangcai Wu , Fang Rao , Zhitang Song , Bo Liu , Xilin Zhou , Min Zhu
发明人： Cheng Peng , Liangcai Wu , Fang Rao , Zhitang Song , Bo Liu , Xilin Zhou , Min Zhu
CPC分类号： G11C11/56 , C01B19/007 , C23C14/0623 , C23C14/14 , C23C14/35 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/144
摘要： The present invention discloses an Al—Sb—Te phase change material used for PCM and fabrication method thereof. Said phase change material, which can be prepared by PVD, CVD, ALD, PLD, EBE, and ED, is a mixture of three elements aluminum (Al), antimony (Sb) and tellurium (Te) with a general formula of Alx(SbyTe1)1-x, where 0
摘要翻译： 本发明公开了一种用于PCM的Al-Sb-Te相变材料及其制造方法。 可以通过PVD，CVD，ALD，PLD，EBE和ED制备的所述相变材料是三种元素铝（Al），锑（Sb）和碲（Te）的混合物，其通式为Al x（ SbyTe1）1-x，其中0
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2.发明授权Al-Sb-Te phase change material used for phase change memory and fabrication method thereof 有权用于相变存储器的Al-Sb-Te相变材料及其制造方法公开(公告)号：US08920684B2
公开(公告)日：2014-12-30
申请号：US13202953
申请日：2011-06-24
申请人： Cheng Peng , Liangcai Wu , Feng Rao , Zhitang Song , Bo Liu , Xilin Zhou , Min Zhu
发明人： Cheng Peng , Liangcai Wu , Feng Rao , Zhitang Song , Bo Liu , Xilin Zhou , Min Zhu
IPC分类号： H01B1/02 , G11C11/56 , C23C14/06 , C23C14/35 , C01B19/00 , C23C14/14 , H01L45/00 , G11C13/00
CPC分类号： G11C11/56 , C01B19/007 , C23C14/0623 , C23C14/14 , C23C14/35 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/144
摘要： The present invention discloses an Al—Sb—Te phase change material used for PCM and fabrication method thereof. Said phase change material, which can be prepared by PVD, CVD, ALD, PLD, EBE, and ED, is a mixture of three elements aluminum (Al), antimony (Sb) and tellurium (Te) with a general formula of Alx(SbyTe1)1-x, where 0
摘要翻译： 本发明公开了一种用于PCM的Al-Sb-Te相变材料及其制造方法。 可以通过PVD，CVD，ALD，PLD，EBE和ED制备的所述相变材料是三种元素铝（Al），锑（Sb）和碲（Te）的混合物，其通式为Al x（ SbyTe1）1-x，其中0
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