利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

7 条记录 (耗时 0.013 秒)

    Circuit and method for switching voltage
    4.
    发明授权
    Circuit and method for switching voltage 有权
    开关电压的电路和方法

    公开(公告)号：US08193835B1

    公开(公告)日：2012-06-05

    申请号：US12716287

    申请日：2010-03-03

    申请人： Yanyi Liu Wong ,  Rebecca Shiu Yun Cheng

    发明人： Yanyi Liu Wong ,  Rebecca Shiu Yun Cheng

    IPC分类号： G01R19/00

    CPC分类号： H03K3/356113

    摘要： An example of a circuit for generating high-voltage switching at an output terminal of the circuit includes a pair of n-type metal oxide semiconductor (NMOS) transistors responsive to input signals to generate a first voltage signal in a preset mode. The circuit also includes a predefined number of n-type cascode stages coupled between the output terminal and the pair of NMOS transistors to enable propagation of the first voltage signal to the output terminal. Further, the circuit includes a predefined number of p-type cascode stages coupled to the output terminal to enable propagation of the first voltage signal to an input voltage supply to the circuit. Furthermore, the circuit includes a first pair of cross-coupled p-type metal oxide semiconductor (PMOS) transistors coupled to the input voltage supply. The circuit includes a pair of PMOS transistors, coupled between the first pair of cross-coupled PMOS transistors and the p-type cascode stage.

    摘要翻译： 用于在电路的输出端产生高压开关的电路的实例包括响应于输入信号的一对n型金属氧化物半导体（NMOS）晶体管，以产生预设模式的第一电压信号。 电路还包括耦合在输出端子和一对NMOS晶体管之间的预定数量的n型共源共栅级，以使得第一电压信号能够传播到输出端子。 此外，电路包括耦合到输出端子的预定数量的p型共源共栅级，以使得能够将第一电压信号传播到电路的输入电压源。 此外，电路包括耦合到输入电压源的第一对交叉耦合的p型金属氧化物半导体（PMOS）晶体管。 电路包括耦合在第一对交叉耦合PMOS晶体管与p型共源共栅级之间的一对PMOS晶体管。

    V2O5 ELECTRODES WITH HIGH POWER AND ENERGY DENSITIES
    5.
    发明申请
    V2O5 ELECTRODES WITH HIGH POWER AND ENERGY DENSITIES 有权
    具有高功率和能量密度的V2O5电极

    公开(公告)号：US20130244115A1

    公开(公告)日：2013-09-19

    申请号：US13863066

    申请日：2013-04-15

    申请人： Guozhong Cao ,  Yanyi Liu

    发明人： Guozhong Cao ,  Yanyi Liu

    IPC分类号： H01M4/04 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/131

    CPC分类号： H01M4/0452 ,  C25D9/00 ,  C25D9/08 ,  H01M4/0469 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/38 ,  H01M4/485 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/122

    摘要： Methods are provided for forming films of orthorhombic V2O5. Additionally provided are the orthorhombic V2O5 films themselves, as well as batteries incorporating the films as cathode materials. The methods use electrodeposition from a precursor solution to form a V2O5 sol gel on a substrate. The V2O5 gel can be annealed to provide an orthorhombic V2O5 film on the substrate. The V2O5 film can be freestanding such that it can be removed from the substrate and integrated without binders or conductive filler into a battery as a cathode element. Due to the improved intercalation properties of the orthorhombic V2O5 films, batteries formed using the V2O5 films have extraordinarily high energy density, power density, and capacity.

    摘要翻译： 提供了形成斜方晶V2O5薄膜的方法。 另外提供了斜方晶V2O5膜本身以及将膜作为阴极材料的电池。 该方法使用前体溶液的电沉积在基底上形成V 2 O 5溶胶凝胶。 可以对V2O5凝胶进行退火，以在衬底上提供斜方晶V2O5膜。 V2O5膜可以是独立的，使得其可以从基底上移除并且将粘合剂或导电填料整合成电池作为阴极元件。 由于正交V2O5膜的嵌入性能的改善，使用V2O5薄膜形成的电池具有极高的能量密度，功率密度和容量。