公开(公告)号：US08466504B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US13231968

申请日：2011-09-14

申请人： Chia-Ming Yang ,  Yao-Hsien Wang ,  Chen-Kang Wei ,  Chien-Chi Lee ,  Ming Yean ,  Yi-Wei Chuang ,  Hsiao-Lung Chiang ,  Hung-Chang Liao ,  Chung-Yuan Lee ,  Ming-Chi Chao

发明人： Chia-Ming Yang ,  Yao-Hsien Wang ,  Chen-Kang Wei ,  Chien-Chi Lee ,  Ming Yean ,  Yi-Wei Chuang ,  Hsiao-Lung Chiang ,  Hung-Chang Liao ,  Chung-Yuan Lee ,  Ming-Chi Chao

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L27/10876 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/1083

摘要： A DRAM with dopant stop layer includes a substrate, a trench-type transistor and a capacitor electrically connected to the trench-type transistor. The trench-type transistor includes a gate structure embedded in the substrate. A source doping region and a drain doping region are disposed in the substrate at two sides of the gate structure. A boron doping region is disposed under the source doping region. A dopant stop layer is disposed within the boron doping region or below the boron doping region. The dopant stop layer includes a dopant selected from the group consisting of C, Si, Ge, Sn, Cl, F and Br.

摘要翻译： 具有掺杂剂停止层的DRAM包括衬底，沟槽型晶体管和电连接到沟槽型晶体管的电容器。 沟槽型晶体管包括嵌入在衬底中的栅极结构。 源极掺杂区域和漏极掺杂区域设置在栅极结构的两侧的衬底中。 硼掺杂区域设置在源极掺杂区域下方。 掺杂剂停止层设置在硼掺杂区域内或硼掺杂区域的下方。 掺杂剂停止层包括选自C，Si，Ge，Sn，Cl，F和Br的掺杂剂。

公开(公告)号：US20120280297A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13231968

申请日：2011-09-14

申请人： Chia-Ming Yang ,  Yao-Hsien Wang ,  Chen-Kang Wei ,  Chien-Chi Lee ,  Ming Yean ,  Yi-Wei Chuang ,  Hsiao-Lung Chiang ,  Hung-Chang Liao ,  Chung-Yuan Lee ,  Ming-Chi Chao

发明人： Chia-Ming Yang ,  Yao-Hsien Wang ,  Chen-Kang Wei ,  Chien-Chi Lee ,  Ming Yean ,  Yi-Wei Chuang ,  Hsiao-Lung Chiang ,  Hung-Chang Liao ,  Chung-Yuan Lee ,  Ming-Chi Chao

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10876 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/1083

摘要： A DRAM with dopant stop layer includes a substrate, a trench-type transistor and a capacitor electrically connected to the trench-type transistor. The trench-type transistor includes a gate structure embedded in the substrate. A source doping region and a drain doping region are disposed in the substrate at two sides of the gate structure. A boron doping region is disposed under the source doping region. A dopant stop layer is disposed within the boron doping region or below the boron doping region. The dopant stop layer includes a dopant selected from the group consisting of C, Si, Ge, Sn, Cl, F and Br.

摘要翻译： 具有掺杂剂停止层的DRAM包括衬底，沟槽型晶体管和电连接到沟槽型晶体管的电容器。 沟槽型晶体管包括嵌入在衬底中的栅极结构。 源极掺杂区域和漏极掺杂区域设置在栅极结构的两侧的衬底中。 硼掺杂区域设置在源极掺杂区域下方。 掺杂剂停止层设置在硼掺杂区域内或硼掺杂区域的下方。 掺杂剂停止层包括选自C，Si，Ge，Sn，Cl，F和Br的掺杂剂。