公开(公告)号：US07264885B2

公开(公告)日：2007-09-04

申请号：US10385298

申请日：2003-03-10

申请人： Milton J. Rosen ,  Yong Fu Wu

发明人： Milton J. Rosen ,  Yong Fu Wu

IPC分类号： B32B33/00

CPC分类号： C08J7/065 ,  C03C17/28 ,  C08J2323/02 ,  Y10T428/31 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31938

摘要： A solid hydrophobic surface wetted with an aqueous solution that includes a first and second surfactant. The first surfactant includes a first straight-chain, branched chain or cyclic hydrocarbon chain and a first hydrophilic moiety. The second surfactant includes a second straight-chain, branched chain or cyclic hydrocarbon chain and a second hydrophilic moiety. The first and second straight-chain, branched chain or cyclic hydrocarbon chains may or may not be the same; the first and second hydrophilic moieties are not the same; and the first surfactant is added to the second surfactant in an amount that causes a synergistic increase in the spreading factor on the hydrophobic surface.

摘要翻译： 用包含第一和第二表面活性剂的水溶液润湿的固体疏水性表面。 第一表面活性剂包括第一直链，支链或环状烃链和第一亲水部分。 第二表面活性剂包括第二直链，支链或环状烃链和第二亲水部分。 第一和第二直链，支链或环状烃链可以相同也可以不相同; 第一和第二亲水部分不相同; 并且将第一表面活性剂以导致疏水性表面上的扩散因子的协同增加的量加入到第二表面活性剂中。

公开(公告)号：US20070131557A1

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：US11625269

申请日：2007-01-19

申请人： Chun-Yau Huang ,  Cheng-Chung Chen ,  Yong-Fu Wu ,  Cheng-Hung Tsai ,  Chwan-Gwo Chyau ,  Fang-Tsun Chu

发明人： Chun-Yau Huang ,  Cheng-Chung Chen ,  Yong-Fu Wu ,  Cheng-Hung Tsai ,  Chwan-Gwo Chyau ,  Fang-Tsun Chu

IPC分类号： C25D5/10

CPC分类号： C25D5/10 ,  C25D5/02 ,  C25D5/34 ,  C25D7/0607

摘要： A method for electroplating low-resistance metal wire for resolving the problem to fabricate the metal wire on large-area substrate through the technology of photolithographing and etching in the prior art. Then the invention improves the RC-delay characteristic of circuit on large-area substrate and reduces the number of masks for processing of a structure of gate overlap lightly-doped drain (source) (GOLDD).

摘要翻译： 一种电镀低电阻金属线的方法，用于解决现有技术中通过光刻和蚀刻技术在大面积基板上制造金属线的问题。 然后，本发明改进了大面积衬底上电路的RC延迟特性，并减少了用于处理栅极重叠轻掺杂漏极（源极）（GOLDD）的结构的掩模的数量。

公开(公告)号：US07736483B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US11625269

申请日：2007-01-19

申请人： Chun-Yau Huang ,  Cheng-Chung Chen ,  Yong-Fu Wu ,  Cheng-Hung Tsai ,  Chwan-Gwo Chyau ,  Fang-Tsun Chu

发明人： Chun-Yau Huang ,  Cheng-Chung Chen ,  Yong-Fu Wu ,  Cheng-Hung Tsai ,  Chwan-Gwo Chyau ,  Fang-Tsun Chu

IPC分类号： C25D5/02 ,  H01L21/00

CPC分类号： C25D5/10 ,  C25D5/02 ,  C25D5/34 ,  C25D7/0607

摘要： A method for electroplating low-resistance metal wire for resolving the problem to fabricate the metal wire on large-area substrate through the technology of photolithographing and etching in the prior art. Then the invention improves the RC-delay characteristic of circuit on large-area substrate and reduces the number of masks for processing of a structure of gate overlap lightly-doped drain (source) (GOLDD).

摘要翻译： 一种电镀低电阻金属线的方法，用于解决现有技术中通过光刻和蚀刻技术在大面积基板上制造金属线的问题。 然后，本发明改进了大面积衬底上电路的RC延迟特性，并减少了用于处理栅极重叠轻掺杂漏极（源极）（GOLDD）的结构的掩模的数量。