公开(公告)号：US5527730A

公开(公告)日：1996-06-18

申请号：US425081

申请日：1995-04-19

申请人： Yuzo Kayaoka ,  Tetsuo Asaba ,  Kenji Makino ,  Hiroshi Yuzurihara ,  Kei Fujita ,  Seiji Kamei ,  Yutaka Akino ,  Yutaka Yuge ,  Mineo Shimotsusa ,  Hideshi Kuwabara

发明人： Yuzo Kayaoka ,  Tetsuo Asaba ,  Kenji Makino ,  Hiroshi Yuzurihara ,  Kei Fujita ,  Seiji Kamei ,  Yutaka Akino ,  Yutaka Yuge ,  Mineo Shimotsusa ,  Hideshi Kuwabara

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/112 ,  H01L21/70 ,  H01L27/00

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/28537 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11226 ,  Y10S148/14 ,  Y10S438/974

摘要： An insulating film is formed on the surface of the base of a semiconductor, and a portion of the insulating film is removed to cause the surface to appear outside. The exposed surface is terminated with hydrogen, and then energy beams are applied to selectively remove the terminating hydrogen. Metal is selectively deposited on the portion terminated with left hydrogen atoms.

摘要翻译： 在半导体基体的表面上形成绝缘膜，除去绝缘膜的一部分，使表面出现在外部。 暴露的表面用氢终止，然后施加能量束以选择性地除去终止的氢。 金属被选择性地沉积在以左氢原子终止的部分上。