公开(公告)号：US20050059215A1

公开(公告)日：2005-03-17

申请号：US10973852

申请日：2004-10-25

申请人： Inki Kim ,  Sang Kim ,  Min Paek ,  Chiew Ping ,  Wan Lee ,  Choong Chien ,  Zadig Lam ,  Hitomi Watanabe ,  Naoto Inoue

发明人： Inki Kim ,  Sang Kim ,  Min Paek ,  Chiew Ping ,  Wan Lee ,  Choong Chien ,  Zadig Lam ,  Hitomi Watanabe ,  Naoto Inoue

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/823462 ,  H01L21/823481 ,  Y10S438/981

摘要： A method for making a semiconductor device having a first active region and a second active region includes providing first and second isolation structures defining the first active region on a substrate. The first active region uses a first operational voltage, and the second active region uses a second operational voltage that is different from the first voltage. A nitride layer overlying the first and second active regions is formed. An oxide layer overlying the nitride layer is formed. A first portion of the oxide layer overlying the first active region is removed to expose a first portion of the nitride layer. The exposed first portion of the nitride layer is removed using a wet etch method while leaving a second portion of the nitride layer that is overlying the second active region intact. Thereafter, a first gate oxide having a first thickness is formed on the first active region, the first gate oxide having a first edge facing the first isolation structure and a second edge facing the second isolation structure. The first edge is separated from the first isolation structure by a first distance. The second edge is separated from the second isolation structure by a second distance. Thereafter, a second gate oxide having a second thickness is formed on the second active region, the second thickness being different than the first thickness.

摘要翻译： 制造具有第一有源区和第二有源区的半导体器件的方法包括提供在衬底上限定第一有源区的第一和第二隔离结构。 第一有源区域使用第一工作电压，而第二有源区域使用不同于第一电压的第二工作电压。 形成覆盖第一和第二有源区的氮化物层。 形成覆盖氮化物层的氧化物层。 去除覆盖在第一有源区上的氧化物层的第一部分以露出氮化物层的第一部分。 使用湿蚀刻方法去除氮化物层的暴露的第一部分，同时留下覆盖第二有源区域的氮化物层的第二部分完好无损。 此后，在第一有源区上形成具有第一厚度的第一栅极氧化物，第一栅极氧化物具有面对第一隔离结构的第一边缘和面向第二隔离结构的第二边缘。 第一边缘与第一隔离结构隔开第一距离。 第二边缘与第二隔离结构隔开第二距离。 此后，在第二有源区上形成具有第二厚度的第二栅极氧化物，第二厚度不同于第一厚度。

公开(公告)号：US06864956B1

公开(公告)日：2005-03-08

申请号：US10394414

申请日：2003-03-19

申请人： Lim Chin Teong ,  Li Kuo Wei ,  Jeong Soo Kim ,  Zadig Lam

发明人： Lim Chin Teong ,  Li Kuo Wei ,  Jeong Soo Kim ,  Zadig Lam

IPC分类号： G01B11/26 ,  G03F9/00 ,  G03B27/42 ,  G01B11/00 ,  G01B11/02 ,  G03B27/54

CPC分类号： G03F9/7088 ,  G01B11/26 ,  G03F9/7049 ,  G03F9/7076

摘要： A method for aligning a substrate on a lithographic apparatus includes providing a substrate having a first plurality of grating marks optimized for a beam of a first given diffraction order and a second plurality of grating marks optimized for a beam of a second given diffraction order on a lithographic apparatus. A first signal is generated using a first beam reflected from the first grating marks, the first beam being a beam of the first given diffraction order. A second signal is generated using a second beam reflected from the second grating marks, the second beam being a beam of the second given diffraction order. The substrate is aligned with respect to the apparatus using the first and second signals.

摘要翻译： 用于在光刻设备上对准衬底的方法包括提供衬底，其具有针对第一给定衍射级的光束而优化的第一多个光栅标记，以及针对第二给定衍射级的光束优化的第二多个光栅标记 光刻设备 使用从第一光栅标记反射的第一光束产生第一信号，第一光束是第一给定衍射级的光束。 使用从第二光栅标记反射的第二光束产生第二信号，第二光束是第二给定衍射级的光束。 基板使用第一和第二信号相对于装置对准。

公开(公告)号：US06818514B2

公开(公告)日：2004-11-16

申请号：US10377167

申请日：2003-02-26

申请人： Inki Kim ,  Sang Yeon Kim ,  Min Paek ,  Chiew Sin Ping ,  Wan Gie Lee ,  Choong Shiau Chien ,  Zadig Lam ,  Hitomi Watanabe ,  Naoto Inoue

发明人： Inki Kim ,  Sang Yeon Kim ,  Min Paek ,  Chiew Sin Ping ,  Wan Gie Lee ,  Choong Shiau Chien ,  Zadig Lam ,  Hitomi Watanabe ,  Naoto Inoue

IPC分类号： H01L218234

CPC分类号： H01L21/823462 ,  H01L21/823481 ,  Y10S438/981

摘要： A method for making a semiconductor device having a first active region and a second active region includes providing first and second isolation structures defining the first active region on a substrate. The first active region uses a first operational voltage, and the second active region uses a second operational voltage that is different from the first voltage. A nitride layer overlying the first and second active regions is formed. An oxide layer overlying the nitride layer is formed. A first portion of the oxide layer overlying the first active region is removed to expose a first portion of the nitride layer. The exposed first portion of the nitride layer is removed using a wet etch method while leaving a second portion of the nitride layer that is overlying the second active region intact. Thereafter, a first gate oxide having a first thickness is formed on the first active region, the first gate oxide having a first edge facing the first isolation structure and a second edge facing the second isolation structure. The first edge is separated from the first isolation structure by a first distance. The second edge is separated from the second isolation structure by a second distance. Thereafter, a second gate oxide having a second thickness is formed on the second active region, the second thickness being different than the first thickness.

摘要翻译： 制造具有第一有源区和第二有源区的半导体器件的方法包括提供在衬底上限定第一有源区的第一和第二隔离结构。 第一有源区域使用第一工作电压，而第二有源区域使用不同于第一电压的第二工作电压。 形成覆盖第一和第二有源区的氮化物层。 形成覆盖氮化物层的氧化物层。 去除覆盖在第一有源区上的氧化物层的第一部分以露出氮化物层的第一部分。 使用湿蚀刻方法去除氮化物层的暴露的第一部分，同时留下覆盖第二有源区域的氮化物层的第二部分完好无损。 此后，在第一有源区上形成具有第一厚度的第一栅极氧化物，第一栅极氧化物具有面对第一隔离结构的第一边缘和面向第二隔离结构的第二边缘。 第一边缘与第一隔离结构隔开第一距离。 第二边缘与第二隔离结构隔开第二距离。 此后，在第二有源区上形成具有第二厚度的第二栅极氧化物，第二厚度不同于第一厚度。

公开(公告)号：US07259071B2

公开(公告)日：2007-08-21

申请号：US10973852

申请日：2004-10-25

申请人： Inki Kim ,  Sang Yeon Kim ,  Min Paek ,  Chiew Sin Ping ,  Wan Gie Lee ,  Choong Shiau Chien ,  Zadig Lam ,  Hitomi Watanabe ,  Naoto Inoue

发明人： Inki Kim ,  Sang Yeon Kim ,  Min Paek ,  Chiew Sin Ping ,  Wan Gie Lee ,  Choong Shiau Chien ,  Zadig Lam ,  Hitomi Watanabe ,  Naoto Inoue

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/823462 ,  H01L21/823481 ,  Y10S438/981

摘要： A method for making a semiconductor device having a first active region and a second active region includes providing first and second isolation structures defining the first active region on a substrate. The first active region uses a first operational voltage, and the second active region uses a second operational voltage that is different from the first voltage. A nitride layer overlying the first and second active regions is formed. An oxide layer overlying the nitride layer is formed. A first portion of the oxide layer overlying the first active region is removed to expose a first portion of the nitride layer. The exposed first portion of the nitride layer is removed using a wet etch method while leaving a second portion of the nitride layer that is overlying the second active region intact. Thereafter, a first gate oxide having a first thickness is formed on the first active region, the first gate oxide having a first edge facing the first isolation structure and a second edge facing the second isolation structure. The first edge is separated from the first isolation structure by a first distance. The second edge is separated from the second isolation structure by a second distance. Thereafter, a second gate oxide having a second thickness is formed on the second active region, the second thickness being different than the first thickness.

摘要翻译： 制造具有第一有源区和第二有源区的半导体器件的方法包括提供在衬底上限定第一有源区的第一和第二隔离结构。 第一有源区域使用第一工作电压，而第二有源区域使用不同于第一电压的第二工作电压。 形成覆盖第一和第二有源区的氮化物层。 形成覆盖氮化物层的氧化物层。 去除覆盖在第一有源区上的氧化物层的第一部分以露出氮化物层的第一部分。 使用湿蚀刻方法去除氮化物层的暴露的第一部分，同时留下覆盖第二有源区域的氮化物层的第二部分完好无损。 此后，在第一有源区上形成具有第一厚度的第一栅极氧化物，第一栅极氧化物具有面对第一隔离结构的第一边缘和面向第二隔离结构的第二边缘。 第一边缘与第一隔离结构隔开第一距离。 第二边缘与第二隔离结构隔开第二距离。 此后，在第二有源区上形成具有第二厚度的第二栅极氧化物，第二厚度不同于第一厚度。