利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

7 条记录 (耗时 0.027 秒)

    Organoaminosilanes and methods for making same
    2.
    发明授权
    Organoaminosilanes and methods for making same 有权
    有机氨基硅烷及其制备方法

    公开(公告)号：US09233990B2

    公开(公告)日：2016-01-12

    申请号：US14625158

    申请日：2015-02-18

    申请人： AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

    发明人： Manchao Xiao ,  Matthew R. MacDonald ,  Richard Ho ,  Xinjian Lei

    IPC分类号： C07F7/10 ,  C07F7/02

    CPC分类号： C07F7/025 ,  C07F7/10

    摘要： Organoaminosilanes, such as without limitation di-iso-propylaminosilane (DIPAS), are precursors for the deposition of silicon containing films such as silicon-oxide and silicon-nitride films. Described herein are methods to make organoaminosilane compounds, or other compounds such as organoaminodisilanes and organoaminocarbosilanes, via the catalytic hydrosilylation of an imine by a silicon source comprising a hydridosilane.

    摘要翻译： 有机氨基硅烷，例如但不限于二异丙基氨基硅烷（DIPAS），是用于沉积含硅膜，例如氧化硅和氮化硅膜的前体。 本文描述的是通过包含氢硅烷的硅源通过亚胺的催化氢化硅烷化制备有机氨基硅烷化合物或其它化合物如有机氨基二硅烷和有机氨基碳硅烷的方法。

    ORGANOAMINOSILANES AND METHODS FOR MAKING SAME
    5.
    发明申请
    ORGANOAMINOSILANES AND METHODS FOR MAKING SAME 有权
    有机氨基硅烷及其制备方法

    公开(公告)号：US20150246937A1

    公开(公告)日：2015-09-03

    申请号：US14625158

    申请日：2015-02-18

    申请人： AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

    发明人： Manchao Xiao ,  Matthew R. MacDonald ,  Richard Ho ,  Xinjian Lei

    IPC分类号： C07F7/10 ,  C07F7/02

    CPC分类号： C07F7/025 ,  C07F7/10

    摘要： Organoaminosilanes, such as without limitation di-iso-propylaminosilane (DIPAS), are precursors for the deposition of silicon containing films such as silicon-oxide and silicon-nitride films. Described herein are methods to make organoaminosilane compounds, or other compounds such as organoaminodisilanes and organoaminocarbosilanes, via the catalytic hydrosilylation of an imine by a silicon source comprising a hydridosilane.

    摘要翻译： 有机氨基硅烷，例如但不限于二异丙基氨基硅烷（DIPAS），是用于沉积含硅膜，例如氧化硅和氮化硅膜的前体。 本文描述的是通过包含氢硅烷的硅源通过亚胺的催化氢化硅烷化制备有机氨基硅烷化合物或其它化合物如有机氨基二硅烷和有机氨基碳硅烷的方法。

    ORGANOAMINOSILANE PRECURSORS AND METHODS FOR DEPOSITING FILMS COMPRISING SAME
    6.
    发明申请
    ORGANOAMINOSILANE PRECURSORS AND METHODS FOR DEPOSITING FILMS COMPRISING SAME 审中-公开
    有机氨基硅烷衍生物及其沉积膜的方法

    公开(公告)号：US20150087139A1

    公开(公告)日：2015-03-26

    申请号：US14483751

    申请日：2014-09-11

    申请人： AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

    发明人： Mark Leonard O'Neill ,  Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Richard Ho ,  Haripin Chandra ,  Matthew R. MacDonald ,  Meiliang Wang

    IPC分类号： H01L21/02 ,  C07F7/10

    摘要： Described herein are precursors and methods for forming silicon-containing films. In one aspect, the precursor comprises a compound represented by one of following Formulae A through E below: In one particular embodiment, the organoaminosilane precursors are effective for a low temperature (e.g., 350° C. or less), atomic layer deposition (ALD) or plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) of a silicon-containing film. In addition, described herein is a composition comprising an organoaminosilane described herein wherein the organoaminosilane is substantially free of at least one selected from the amines, halides (e.g., Cl, F, I, Br), higher molecular weight species, and trace metals.

    摘要翻译： 这里描述的是用于形成含硅膜的前体和方法。 在一个方面，前体包含由以下下列通式A至E之一表示的化合物：在一个具体实施方案中，有机氨基硅烷前体对于低温（例如350℃或更低），原子层沉积（ALD） ）或等离子体增强的原子层沉积（PEALD）。 此外，本文描述的是包含本文所述的有机氨基硅烷的组合物，其中有机氨基硅烷基本上不含选自胺，卤化物（例如Cl，F，I，Br），较高分子量物质和痕量金属中的至少一种。