公开(公告)号：US20090081860A1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：US11861534

申请日：2007-09-26

申请人： Jingrong ZHOU ,  Mark MICHAEL ,  Donna Michael ,  David WU ,  James F. BULLER ,  Akif SULTAN

发明人： Jingrong ZHOU ,  Mark MICHAEL ,  Donna Michael ,  David WU ,  James F. BULLER ,  Akif SULTAN

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/1083

摘要： The halo implant technique described herein employs a halo implant mask that creates a halo implant shadowing effect during halo dopant bombardment. A first transistor device structure and a second transistor device structure are formed on a wafer such that they are orthogonally oriented to each other. A common halo implant mask is created with features that prevent halo implantation of the diffusion region of the second transistor device structure during halo implantation of the diffusion region of the first transistor device structure, and with features that prevent halo implantation of the diffusion region of the first transistor device structure during halo implantation of the diffusion region of the second transistor device structure. The orthogonal orientation of the transistor device structures and the pattern of the halo implant mask obviates the need to create multiple implant masks to achieve different threshold voltages for the transistor device structures.

摘要翻译： 本文描述的光晕植入技术采用在光晕掺杂剂轰击期间产生晕轮植入物阴影效应的光晕注入掩模。 第一晶体管器件结构和第二晶体管器件结构形成在晶片上，使得它们彼此正交地取向。 创建了常见的光晕注入掩模，其特征在于，在第一晶体管器件结构的扩散区域的晕圈注入期间防止第二晶体管器件结构的扩散区域的光晕注入，并且具有防止第 在第二晶体管器件结构的扩散区的晕圈注入期间的第一晶体管器件结构。 晶体管器件结构的正交取向和光晕注入掩模的图案消除了创建多个注入掩模以实现晶体管器件结构的不同阈值电压的需要。

公开(公告)号：US20090078991A1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：US11861051

申请日：2007-09-25

申请人： Akif SULTAN ,  Mark MICHAEL ,  David WU ,  Donna Michael

发明人： Akif SULTAN ,  Mark MICHAEL ,  David WU ,  Donna Michael

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7843

摘要： A stress-enhanced semiconductor device is provided which includes a substrate having an inactive region and an active region, a first-type stress layer overlying at least a portion of the active region, and a second-type stress layer. The active region includes a first lateral edge which defines a first width of the active region, and a second lateral edge which defines a second width of the active region. The second-type stress layer is disposed adjacent the second lateral edge of the active region.

摘要翻译： 提供一种应力增强型半导体器件，其包括具有非活性区域和有源区域的衬底，覆盖有源区域的至少一部分的第一类型应力层和第二类型应力层。 有源区域包括限定有源区域的第一宽度的第一侧边缘和限定有源区域的第二宽度的第二侧边缘。 第二类应力层设置在活动区域​​的第二侧边缘附近。

公开(公告)号：US20090081837A1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：US11861492

申请日：2007-09-26

申请人： Zhonghai SHI ,  Mark MICHAEL ,  David WU ,  James F. BULLER ,  Jingrong ZHOU ,  Akif SULTAN ,  Donna Michael

发明人： Zhonghai SHI ,  Mark MICHAEL ,  David WU ,  James F. BULLER ,  Jingrong ZHOU ,  Akif SULTAN ,  Donna Michael

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843

摘要： The techniques and technologies described herein relate to the automatic creation of photoresist masks for stress liners used with semiconductor based transistor devices. The stress liner masks are generated with automated design tools that leverage layout data corresponding to features, devices, and structures on the wafer. A resulting stress liner mask (and wafers fabricated using the stress liner mask) defines a stress liner coverage area that extends beyond the boundary of the transistor area and into a stress insensitive area of the wafer. The extended stress liner further enhances performance of the respective transistor by providing additional compressive/tensile stress.

摘要翻译： 本文所述的技术和技术涉及自动创建与半导体基晶体管器件一起使用的应力衬垫的光致抗蚀剂掩模。 应力衬垫掩模是利用自动设计工具生成的，其利用与晶片上的特征，器件和结构对应的布局数据。 产生的应力衬垫掩模（以及使用应力衬垫掩模制造的晶片）限定了延伸超出晶体管区域的边界并进入晶片的应力不敏感区域的应力衬垫覆盖区域。 延伸的应力衬垫通过提供额外的压缩/拉伸应力来进一步提高相应晶体管的性能。

公开(公告)号：US20120070987A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13305449

申请日：2011-11-28

申请人： Zhonghai SHI ,  David WU ,  Mark MICHAEL ,  Donna Michael

发明人： Zhonghai SHI ,  David WU ,  Mark MICHAEL ,  Donna Michael

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L29/41733 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor devices having improved contact resistance and methods for fabricating such semiconductor devices are provided. These semiconductor devices include a semiconductor device structure and a contact. The contact is electrically and physically coupled to the semiconductor device structure at both a surface portion and a sidewall portion of the semiconductor device structure.

摘要翻译： 提供了具有改善的接触电阻的半导体器件和制造这种半导体器件的方法。 这些半导体器件包括半导体器件结构和接触。 在半导体器件结构的表面部分和侧壁部分处，触点电耦合到半导体器件结构。

公开(公告)号：US20110148768A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12644372

申请日：2009-12-22

申请人： Norman Miner LADOUCEUR ,  Jason Tyler GRIFFIN ,  Mark MICHAEL

发明人： Norman Miner LADOUCEUR ,  Jason Tyler GRIFFIN ,  Mark MICHAEL

IPC分类号： G06F3/02 ,  H03M11/00

CPC分类号： H03M11/02 ,  G06F1/1664 ,  H01H13/7065 ,  H01H2237/00

摘要： A customizable keyboard for a handheld electronic device is provided. The keys of the keyboard are rotatable, either individually or in groups, either under manual control of a user of the device or by means of one or more micro-motors or solenoids controlled by a microprocessor running software on the device. The keyboard may be integrated in the device or may be detachable therefrom.

摘要翻译： 提供了一种用于手持电子设备的可定制键盘。 键盘的键可以单独地或分组地旋转，无论是在设备的用户的手动控制下，还是通过由运行设备上的软件的微处理器控制的一个或多个微型电动机或螺线管来旋转。 键盘可以集成在设备中或者可以从其中拆卸。