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    Focused ion beam deep nano-patterning apparatus and method
    1.
    发明授权
    Focused ion beam deep nano-patterning apparatus and method 有权
    聚焦离子束深纳米图案装置及方法

    公开(公告)号：US08557707B2

    公开(公告)日：2013-10-15

    申请号：US12598228

    申请日：2008-04-27

    申请人： Alex Hayat ,  Alex Lahav ,  Meir Orenstein

    发明人： Alex Hayat ,  Alex Lahav ,  Meir Orenstein

    IPC分类号： H01L21/3065

    CPC分类号： H01L21/3065 ,  B81C1/00063 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/32131

    摘要： The present invention introduces a new technique allowing the fabrication of high-aspect ratio nanoscale semiconductor structures and local device modifications using FIB technology. The unwanted semiconductor sputtering in the beam tail region prevented by a thin slow-sputter-rate layer which responds much slower and mostly to the high-intensity ion beam center, thus acting as a saturated absorber funnel-like mask for the semiconductor. The protective layer can be deposited locally using FIB, thus enabling this technique for local device modifications, which is impossible using existing technology. Furthermore, such protective layers allow much higher resolution and nanoscale milling can be achieved with very high aspect ratios, e.g. Ti layer results in aspect ratio higher than 10 versus bare semiconductor milling ratio of about 3.

    摘要翻译： 本发明引入了允许使用FIB技术制造高纵横比纳米尺度半导体结构和本地器件修改的新技术。 通过薄缓慢溅射速率层防止光束尾部区域中的不需要的半导体溅射，其响应较慢并且主要响应于高强度离子束中心，因此用作半导体的饱和吸收剂漏斗状掩模。 保护层可以使用FIB在本地进行沉积，从而使得本技术可以进行本地设备修改，这是不可能使用现有技术的。 此外，这种保护层允许更高的分辨率，并且可以以非常高的纵横比实现纳米级研磨，例如。 Ti层导致纵横比高于10，裸半导体铣削比约为3。

    FOCUSED ION BEAM DEEP NANO-PATTERNING APPARATUS AND METHOD
    2.
    发明申请
    FOCUSED ION BEAM DEEP NANO-PATTERNING APPARATUS AND METHOD 有权
    聚焦离子束深度纳米图案设备和方法

    公开(公告)号：US20100267234A1

    公开(公告)日：2010-10-21

    申请号：US12598228

    申请日：2008-04-27

    申请人： Alex Hayat ,  Alex Lahav ,  Meir Orenstein

    发明人： Alex Hayat ,  Alex Lahav ,  Meir Orenstein

    IPC分类号： H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/3065 ,  B81C1/00063 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/32131

    摘要： The present invention introduces a new technique allowing the fabrication of high-aspect ratio nanoscale semiconductor structures and local device modifications using FIB technology. The unwanted semiconductor sputtering in the beam tail region prevented by a thin slow-sputter-rate layer which responds much slower and mostly to the high-intensity ion beam center, thus acting as a saturated absorber funnel-like mask for the semiconductor. The protective layer can be deposited locally using FIB, thus enabling this technique for local device modifications, which is impossible using existing technology. Furthermore, such protective layers allow much higher resolution and nanoscale milling can be achieved with very high aspect ratios, e.g. Ti layer results in aspect ratio higher than 10 versus bare semiconductor milling ratio of about 3.

    摘要翻译： 本发明引入了允许使用FIB技术制造高纵横比纳米尺度半导体结构和本地器件修改的新技术。 通过薄缓慢溅射速率层防止光束尾部区域中的不需要的半导体溅射，其响应较慢并且主要响应于高强度离子束中心，因此用作半导体的饱和吸收剂漏斗状掩模。 保护层可以使用FIB在本地进行沉积，从而使得本技术可以进行本地设备修改，这是不可能使用现有技术的。 此外，这种保护层允许更高的分辨率，并且可以以非常高的纵横比实现纳米级研磨，例如。 Ti层导致纵横比高于10，裸半导体铣削比约为3。